这三款新放大器的双向检测功能允许用一个电流检测电路测量正反电流,有助于设计人员缩减物料清单成本。新产品还适用于高低边两种连接配置,允许高低边共用相同型号的器件,从而简化库存管理工作。
三款新产品的电源电压均在2.7v-5.5v范围内,进一步提高了应用灵。宽输入电压容差允许新产品在电源电压下检测从-20v至70v的共模电压电流。新产品具有高增益带宽乘积和快速压摆率(tsc2010的两项参数分别为820khz和7.5v/μs),测量精度高。
三款新产品内部集成emi滤波器和2kv hbm(人体模型)的esd防护功能,器件抗扰能力强,可在-40°c至125°c的工业温度范围内工作。
这三款新产品还有配套的steval-aetkt1v2板,帮助设计人员快速启动使用一款器件的开发项目, 产品上市时间。tsc2010、tsc2011和tsc2012目前采用mini-so8和so8两种封装。
根据产业链的消息,台积电也在研发3nm工艺,的是新工艺仍将采用finfet立体晶体管技术,号称与5nm工艺相比,晶体管密度将提高70 ,性能可提升11 ,或者功耗降低27 。从纸面参数来看,三星这一次似乎有望实现反超。不过三星还没有公布3nm工艺的订单情况,台积电则基本确认,客户会包括苹果、amd、nvidia、联发科、赛灵思、博通、高通等,貌似intel也有意寻求台积电的工艺代工。台积电预计将在2nm芯片上应用gaafet技术,要等待三年左右才能面世。 GD32F103VCT6 GD32F303CCT6 GD32F303VCT6 GD32F305VCT6 PCI9056-BA66BIG QCPL-7847-500E QCPL-WB3N-560E ACHS-7122-500E ACPL-C790-500E ACPL-P480-500E HCPL-0601-500E TLC272IDR TMS320F28062PNT TPS7A7200QRGWREP TPS79850QDGNRQ1 TPS79801QDGNRQ1 LMH6645MFX/NOPB TMS320LF2406APZA IS42S32200L-6TLI IS25LP128F-JBLE-TR IS25LP256D-RMLE IS25LP512M-RMLE-TR IS25WP080D-JNLE IS25WQ040-JNLE-TR AO4803A AOL1412 DSPIC33EP16GS504-I/PT