| 【中文篇名】 | 砷化镓和硅工艺的比较 |
| 【作者】 | C.E.Weitzel; J.M.Frary; 罗浩平; |
| 【文献出处】 | 微电子学 , Microelectronics, 编辑部邮箱 1982年 05期 期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 中国期刊方阵 CJFD收录刊 |
| 【中文关键词】 | 砷化镓和硅; GaAs; 金属化; 欧姆接触; |
| 【摘要】 | 电学特性的差别使得GaAs器件能够获得高频性能,与此类似,GaAs的化学和物理学特性的差别也使得GaAs工艺(与硅相比)有所不同。 |
| 【DOI】 | CNKI:SUN:MINI.0.1982-05-004 |
| 【正文快照】 | 尽管几十种材料具有半导体特性,但所有固体无源和有源器件以及集成电路的95%以上是用单品硅衬底制作j==f勺。这是因为它独特地综合了化学、物理和电学特性,同时,对于器件制作来说使用这种元素半导体较为容易。当我们大量研究和发展其它元素半导体和一些化合物半导体时,除了少数 |
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