光电伏{tx}应定义　　英文名称：Photovoltaicvoltseffect
　　光生伏{tx}应是指半导体在受到光照射时产生的现象。 　　1.P-N结
　　
　　发电的原理是基于半导体的光生伏{tx}应将太阳直接转换为电能。在中的数目总是与相一致，所以P型硅和N型硅对外部来说是的。如将P型硅或N型硅放在阳光下照射，仅是被加热，外部看不出变化。尽管通过光的能量电子从化学键中被释放，由此产生电子－空穴对，但在很短的时间内（在μS范围内）电子又被捕获，即电子和空穴“复合”。
　　当P型和N型结合在一起时，在两种半导体的交界面区域里会形成一个特殊的薄层，界面的P型一侧带负电，N型一侧带正电。这是由于P型半导体多空穴，N型半导体多自由电子，出现了浓度差。N区的电子会扩散到P区，P区的空穴会扩散到N区，一旦扩散就形成了一个由N指向P的“内电场”，从而阻止扩散进行。达到平衡后，就形成了这样一个特殊的薄层形成电势差，这就是P－N结。
　　至今为止，大多数太阳能电池 厂家都是通过扩散工艺，在P型硅片上形成N型区，在两个区交界就形成了一个P－N结（即N+／P）。太阳能电池的基本结构就是一个大面积平面P－N结。
　　2.光生伏{tx}应
　　
　　如果光线照射在太阳能电池上并且光在界面层被吸收，具有足够能量的能够在P型硅和N型硅中将电子从中激发，以致产生电子－空穴对。界面层附近的电子和空穴在复合之前，将通过空间电荷的电场作用被相互分离。电子向带的N区和向带的P区运动。通过界面层的电荷分离，将在P区和N区之间产生一个向外的可测试的。此时可在硅片的两边加上电极并接入电压表。对晶体硅太阳能电池来说，开路电压的典型数值为0.5～0.6V。通过光照在界面层产生的电子－空穴对越多，电流越大。界面层吸收的光能越多，界面层即电池面积越大，在太阳能电池中形成的电流也越大。 　　光生伏{tx}应--(可制作光电池、、和半导体位置敏感器件传感器）
　　侧向光生伏{tx}应（殿巴效应）--(可制作半导体位置敏感器件（反转光敏二极管）传感器）
　　PN结光生伏{tx}应--(可制作光电池、光敏二极管和光敏三极管传感器） 　　 　光电池是一种直接将转换为的光电器件。光电池在有光线作用时实质就是电源，电路中有了这种器件就不需要外加电源。
　　光电池的工作原理是基于“光生伏{tx}应”。它实质上是一个大面积的PN结，当光照射到PN结的一个面，例如P型面时，若光子能量大于半导体材料的禁带宽度，那么P型区每吸收一个光子就产生一对自由电子和空穴，电子-空穴对从表面向内迅速扩散，在结电场的作用下，{zh1}建立一个与光照强度有关的电动势。
　　光电池基本特性有以下几种：
　　(1)光谱特性光电池对不同波长的光的灵敏度是不同的。光谱响应峰值所对应的入射光波长是不同的，硅光电池波长在0.8μm附近，硒光电池在0.5μm附近。硅光电池的光谱响应波长范围为0.4~1.2μm，而硒光电池只能为0.38~0.75μm。可见，硅光电池可以在很宽的波长范围内得到应用。
　　(2)光照特性：光电池在不同光照度下，其光电流和光生电动势是不同的，它们之间的关系就是光照特性。短路电流在很大范围内与光照强度呈线性关系，开路电压（即负载电阻RL无限大时）与光照度的关系是非线性的，并且当照度在2000lx时就趋于饱和了。因此用光电池作为测量元件时，应把它当作电流源的形式来使用，不宜用作电压源。
　　(3)温度特性光电池的温度特性是描述光电池的开路电压和短路电流随温度变化的情况。由于它关系到应用光电池的仪器或设备的温度漂移，影响到测量精度或控制精度等重要指标，因此温度特性是光电池的重要特性之一。开路电压随温度升高而下降的速度较快，而短路电流随温度升高而缓慢增加。由于温度对光电池的工作有很大影响，因此把它作为测量元件使用时，{zh0}能保证温度恒定或采取温度补偿措施