本文是从《电脑报》读者论坛 » 会攒机也不能叫DIY，最强电容讲座•实战篇，加深你的认识！一文的有关电容部分的摘录。  
   会攒机也不能叫DIY，最强电容讲座•实战篇，加深你的认识！！！！！
第1页：铝电解液电容的制造过程
那么这次我们要谈的——这包括电容的制造过程、电容的寿命以及不同品牌、不同型号电容的性能特点。
在本章节我们首先讲一讲贴片铝电解液电容的制造方法，贴片铝电解液电容是如今的显卡上最常见的电容之一。大家看完本章后，就能明白这种电容是如何从原材料变成现在的模样了。事实上其它种类的贴片电解电容，例如铝固体聚合物电容的制造方法也和它类似，只是阴极采用的材料不是电解液，而是固体聚合物等等

贴片铝电解液电容是显卡上最常见的电容

贴片铝电解液电容的制造过程包括九个步骤，我们就按顺序逐一为大家讲解：

{dy}步：铝箔的腐蚀。
假如拆开一个铝电解液电容的外壳，你会看到里面是若干层铝箔和若干层电解纸，铝箔和电解纸贴附在一起，卷绕成筒状的结构，这样每两层铝箔中间就是一层吸附了电解液的电解纸了。
因此首先我们谈谈铝箔的制造方法。为了增大铝箔和电解质的接触面积，电容中的铝箔的表面并不是光滑的，而是经过电化腐蚀法，使其表面形成凹凸不平的形状，这样能够增大7~8倍的表面积。普通铝箔一平方米的价格在10元人民币左右，而经过这道工艺之后，它的价格将升到40~50元/平米。电化腐蚀的工艺是比较复杂的，其中涉及到腐蚀液的种类、浓度、铝箔的表面状态、腐蚀的速度、电压的动态平衡等等。我们国家目前在这方面的制造工艺还不够成熟，因此用于制造电容的经过电化腐蚀的铝箔目前还主要依赖进口。
第二步：氧化膜形成工艺。
铝箔经过电化腐蚀后，就要使用化学办法，将其表面氧化成三氧化二铝——也就是铝电解电容的介质。在氧化之后，要仔细检查三氧化二铝的表面，看是否有斑点或者龟裂，将不合格的排除在外。
第三步：铝箔的切割。
这个步骤很容易理解。就是把一整块铝箔，切割成若干小块，使其适合电容制造的需要。
第四步：引线的铆接。
电容外部的引脚并不是直接连到电容内部，而是通过内引线与电容内部连接的。因此，在这一步当中我们就需要将阳极和阴极的内引线，与电容的外引线通过超声波键合法连接在一起。外引线通常采用镀铜的铁线或者氧化铜线以减少电阻，而内引线则直接采用铝线与铝箔直接相连。大家注意这些小小的步骤无一不对精密加工要求很高。
第五步：电解纸的卷绕。
电容中的电解液并非直接灌进电容，呈液态浸泡住铝箔，而是通过吸附了电解液的电解纸与铝箔层层贴合。这当中，选用的电解纸与普通纸张的配方有些不同，是呈微孔状的，纸的表面不能有杂质，否则将影响电解液的成分与性能。而这一步，就是将没有吸附电解液的电解纸，和铝箔贴在一块，然后卷进电容外壳，使铝箔和电解纸形成类似“101010”的间隔状态。
第六步：电解液的浸渍。
当电解纸卷绕完毕之后，就将电解液灌进去，使电解液浸渍到电解纸上。随着电解液配方的改进以及电解纸制造技术的提升，如今铝电解液电容的ESR值也逐渐得以提升，变成以前的若干分之一。
第七步：装配。
这一步就是将电容外面的铝壳装配上，同时连接外引线，电容到这时已经基本成型了。
第八步：卷边。
如果是那种“包皮”电容，就需要经过这一步，将电容外面包覆的PVC膜套在电容铝壳外面。不过如今使用PVC膜的电容已经越来越少，主要原因在于这种材料并不符合环保的趋势，而和性能表现没有太大关系。
第九步：组合装配。

如果是直插封装，就不需要经过这步

这是贴片铝电解电容制造的{zh1}一步。这一步就是将SMT贴片封装工艺所需要的黑色塑料底板元件装在电容底部。对元件的要求，首先是密封效果要好；第二是耐热性能要好；第三还要具备耐化学性，不能和电容内部的电解液一类物质产生化学反应。这块小塑料板叫做“端子板”，其制造精度要求是非常高，因为一旦大小不合适，要么影响电容的密封性（过小），或者阻挡PCB上电容附近其它元件的装配（过大）。

第2页：钽二氧化锰电容的制造过程
万鹏：显卡上除了常见的贴片铝电解液电容外，偶尔还会出现比其更加xx的钽二氧化锰电容，也就是我们熟悉的钽电容。钽二氧化锰电容的外观呈立方体，体积较小，与体积相对偏大，且外观为圆筒状的铝电解液电容截然不同。不仅是外观，钽二氧化锰电容的内部结构也和铝电解液电容不一样。那么，这种电容又是如何制造出来的呢？


钽电容是“xx的象征”
可以说将二氧化锰作为阴极的钽二氧化锰电容的制造过程，比将固体聚合物作为阴极的电容还要复杂。因为PPY和PEDT这类固体聚合物，只需要直接放置入电容内部，而钽二氧化锰电容内部的二氧化锰，由于溶解性较差，熔点较高，无法预先紧密贴合，所以只能用硝酸锰热分解生成。
制造钽电容首先需要高纯度的钽粉。其纯度至少应该在99.9%以上，目前这方面能达到的{zg}工艺是99.9999%。首先，将钽粉和有机溶剂掺杂在一起，按照一定的形状加压成形，同时埋入钽引线。
然后，在2000℃以上的真空高温环境下，将掺杂有机溶剂的钽粉在真空中进行烧结变成类似于海绵的状态，同时和引线真正地融合在一起。（一定要保证真空环境，杜绝氧气，因为钽的熔点非常高，低于2000℃无法熔化，而在2000℃时，钽会和氧气发生剧烈反应，也就是爆炸 所以一定不能有氧气混入）
接下来就要把烧结以后的海绵状的钽进行氧化而得到介质——五氧化二钽。这一步是将海绵状的钽，泡在磷酸溶液里面电解，氧化后表面即生成五氧化二钽。五氧化二钽的介电常数非常高，在27左右，性能高于铝电解电容的三氧化二铝介质（介电常数7左右）。
然后就是阴极材质——二氧化锰的生成。这一环节，是将液态的硝酸锰加入钽块，然后将其在水蒸汽（催化剂）环境中进行热分解，分别成二氧化锰与二氧化氮。为了使氧化膜能够真正xx黏附在二氧化锰上，这道工序要进行好几次（掺入，分解，再掺入……）。硝酸锰吸附性好，生成的二氧化锰可以xx吸附在海面状钽块内部的无数个小孔当中。假如这里直接使用固体的二氧化锰，就无法达到这种效果，这就是为什么二氧化锰只能在制造过程中得到的原因。假如使用PPY/PEDT等固体聚合物，因其溶点很低，就可以直接将其熔解然后放进去。
{zh1}要将银粉和石墨涂在二氧化锰的表面上，减少它的ESR，增强它的导电性。这一步骤看似简单，但实际也非常重要。尤其是涂层的厚薄要均匀，密度要大，否则对降低ESR帮助不大。另外使用PPY/PEDT做阴极的时候，也同样要施行这一道工序。此过程也要反复进行好多遍才可以
如此这般，钽二氧化锰电容内部的那颗“芯”就已经制作完成了。对于一些LOW ESR的xx钽二氧化锰/钽固体聚合物电容而言，厂商往往会先做好几个“芯”，然后将其并联在一起，封装成一个电容，这样其ESR值会很低，性能更加出色，当然价格也不便宜。
{zh1}就是一些安装的工序。首先加入外引线，然后用环氧树脂进行封装。钽电容从外观上看一般有黄色和黑色两种，而它们都是环氧树脂。环氧树脂的绝缘性、机械强度、耐湿性很好，比使用铝作为外壳的失效性更低。不过铝电容也可以使用环氧树脂封装，这种铝电容的外观和钽电容是差不多的，这我们在上一篇文章里已经提到过，因此大家不能单凭外观来判断电容的阳极材质。

陶瓷电容经常出现在CPU、GPU等高频设备上
有一些朋友分不清钽电容和陶瓷电容有什么区别。其实很简单，钽电容的外壳，采用的是不导电的环氧树脂，而陶瓷电容的外壳采用的则是导电的金属。
电子设备中看似最简单的电容，竟然也有那么多道工序，而且制造工艺那么考究，真是让人惊叹。大家以后可不要小看了电容。

第3页：衡量电容性能的几个重要性能参数
在熟知电容的制造全过程，了解了电容的基本构造和原理之后，我们就将面临一个新的问题——如何从参数上判断电容品质的好坏？只有掌握了这一方法，我们才能以不变应万变，即使对电容的种类和品牌本身不了解，也能通过几个参数迅速判断出其性能档次。

关于电容的参数，我们将其分为“看得到的”和“看不到的”。所谓“看得到的”，就是印在电容表面的一些基本参数，这些参数在我们看到一颗电容之后往往可以直接得知。例如电容的容量（比如“470μF”等等）、容量偏差范围、耐温范围、电压值（比如“16V”）。
所谓“看不到的”参数，就是我们需要根据电容的型号来查询的参数。例如我们常说的ESR值，如今已成为区别电容性能的重要参数，而我们在电容上是看不到这个参数的，我们得去相关的网站通过电容的型号来查询。类似的参数还有不少，其中包括如下一些：
1.ESR值；
2.能够耐受的涟波电流值；
3.温度特性；
4.损耗角的正切（TAN），相当于无功功率和有功功率的比值，这个值跟电容的品质以及发热量有关系，这个值越小电容性能越好。
5.漏电流值：无论绝缘体多大，总是会有细微的电流漏过电容，这个值则代表具体漏过的多少。
此外，ESL特性也是电容的性能指标之一。但是随着电容技术的发展，现在的xx电解电容，其ESL特性一般都很好，到10MHz、20MHz以上的时候往往才能体现出区别，因此也就失去了比较的意义。

第4页：电容ESR的意义 ESR缘何重要？
首先来说ESR。ESR是高频电解电容里面最重要的性能参数，很多电子元器件都强调“LOW ESR”这一性能特征，也就是ESR值很小的意思。那么，我们如何正确理解LOW ESR的实际意义呢？由于现在电子技术的发展，供应给硬件的电压正呈现越来越低的趋势，例如INTEL、AMD的{zx1}款CPU，电压均小于2V，相比以前动辄3、4V的电压要低得多。但是，另一方面这些芯片由于晶体管和频率爆增，需求的功耗却是有增无减，因此按P=UI的公式来计算，这些设备对电流的要求就越来越高了。
例如两颗功耗同样是70W的CPU，前者电压是3.3V，后者电压是1.8V。那么，前者的电流就是I=P/U=70W/3.3V大约在21.2A左右。而后者的电流就是I=P/U=70W/1.8V=38.9A，达到了前者的近一倍。在通过电容的电流越来越高的情况下，假如电容的ESR值不能保持在一个较小的范围，那么就会产生比以往更高的涟波电压（理想的输出直流电压应该是一条水平线，而涟波电压则是水平线上的波峰和波谷）。
此外，即使是相同的涟波电压，对低电压电路的影响也要比在高电压情况下更大。例如对于3.3V的CPU而言，0.2V涟波电压所占比例较小，还不足以形成致命的影响，但是对于1.8V的CPU而言，同样是0.2V的涟波电压，其所占的比例就足以造成数字电路的判断失误。
那么ESR值与涟波电压的关系何在呢？我们可以用以下公式表示：
V=R（ESR）×I
这个公式中的V就表示涟波电压，而R表示电容的ESR，I表示电流。可以看到，当电流增大的时候，即使在ESR保持不变的情况下，涟波电压也会成倍提高，采用更低ESR值的电容是势在必行。这就是为什么如今的板卡等硬件设备上所用的电容，越来越强调LOW ESR的缘故。

上图就是一个典型的滤波电路，这种电路也被应用在如今的显卡上。其中的SW IC相当于显卡上的开关电源，将输入的5V直流电转换为核心或者显存需要的3.3V直流电。而电路的L/C部分则构成电路的低通滤波器，目的就是尽量滤去直流电中的涟波电压。

而上图的表格则表明了，在L/C部分使用不同种类电容的情况下，这个电路中涟波电压的表现情况。可以看出，具有LOW ESR性能的铝固体聚合物导体电容（左边），其xx涟波电压的性能最强，钽二氧化锰电容（右边）性能次之，铝电解液电容（中间）表现最差。同时{zh1}的数值还将受温度影响，这点我们还将在后面详细说明。

第5页：注意你的室温 温度与电容性能的密切关系
电容的性能并非一成不变，而是会受到环境的影响，而对电容影响{zd0}的就是温度。而在不同种类的电容当中，采用电解液作为阴极材质的电容例如铝电解液电容，受温度影响又最为明显。因为在不同种类的阴极，例如电解液、二氧化锰、固体聚合物导体当中，只有电解液采用离子导电方式，而其余几种均采用电子导电方式。对于离子导电而言，温度越高，其离子活动越强，电离程度也越强。因此，在温度不超过额定限度的前提下，电解液电容在高温状态下的性能要比低温状态下更好。

上图代表25℃下，三种电容降低涟波电压的能力（电路可以以上一章节中的电路图为参考）。其中{dy}个表格所使用的OSCON SVP铝固体聚合物导体电容（1颗，100μF，ESR=40毫欧姆） ），第二个表格所使用的是低阻抗铝电解液电容（3颗并联），第三个表格使用的是低阻抗钽电容（2颗并联）。
从表格中可以看出，在25℃的常温状态下，三者所产生的涟波电压分别是22.8/23.8/24.8mV。也就是说，1颗铝固体聚合物导体电容，在25℃下降低涟波电压的能力，大致相当于2颗钽电容和3颗铝电解液电容。

上图同样是这三种电容，同一电路，在70℃下降低涟波电压的表现。可以看出，铝固体聚合物导体电容和钽电容的性能改变都不大，依然保持在24~25mV左右，但是3颗铝电解液电容并联下的涟波电压降低到了16.4mV，这时只需要并联两颗这种电容，即可达到25℃状态下的25mV左右水平，其性能提升巨大。

下面我们就要看低温环境下这三种电容的表现了。上图是在零下20℃下三种电容的成绩。可以看出，在低温环境下，铝电解液电容的性能降低得非常厉害。3颗并联状态下的涟波电压由25℃下的23.8mV猛增到了57.6mV。要将涟波电压降低到和25℃相同的数值，需要并联7颗这种电容。相比之下我们还能看出，铝固体聚合物导体电容和钽电容的性能，无论是在25℃、70℃还是-20℃环境下，其波动都不大。

从以上分析我们不难看出，铝电解液电容的ESR值受温度影响是极其明显的。上面的图表则直接画出了不同种类电容，在不同温度状态下的ESR曲线。其中铝电解液电容（蓝色线）随温度（Y轴）的增加，ESR值（X轴）降低明显。而铝固体聚合物导体电容（紫色线）和钽电容（绿色线）以及xx陶瓷电容（红色线）则近似于直线，其ESR值受温度影响不大。而普通陶瓷电容（粉红线）则受温度影响较大。
这里需要说明的是，上表中用做比较的铝固体聚合物导体电容，其容量较小（只有100μF），而且ESR并不太低（40毫欧）。如换上大容量，ESR更低的同类产品，最终性能表现将更加突出。

第6页：电容故障实例剖析 为什么耕升TI4200会花屏
看到这里，我想我们应该联系一些产品实例，来谈谈温度对电容的影响，在某些时刻会有多么严重。同时，也希望借此说明，正确合理的电容用料对于硬件产品而言是多么重要。
这个实例就是xx的耕升Ti4200显卡花屏事件。相信资深的DIY玩家，对当时闹得沸沸扬扬的这一事件，{jd1}是记忆犹新！那么，耕升Ti4200为什么会花屏？可以说罪魁祸首就是电容。


  
钰创显存对电容ESR的极高要求是花屏原因所在

其实不光是显卡，上图是数码相机的又一个实例。当使用铝电解液电容的时候，在零下20℃情况下，数码相机已几乎无法成相（右下）。而使用固体聚合物导体电容，则在零下20℃的时候依然可以正常拍摄。
随着电子设备的频率越来越高，对电容LOW ESR性能要求越来越严格，未来将会有越来越多的产品可能是在低温上出问题，原因就出在电容上。没有相应的低温检测设备的小厂，其产品可能会有很大隐患。

第7页：你的显卡能用多久？教你计算电容寿命
在电容的表面，会标明一个温度数据，例如125等等。这个温度，代表着该电容所能承受的{zg}温度，在这一{zg}温度下，电容一般只能保证正常工作1000个小时左右。而通过这个温度数值，我们可以使用公式计算出该电容在其它不同温度环境下的寿命。
铝固体聚合物导体电容的计算公式：
L2=L1×10^[（t1-t2）/20]（方括号内的算式结果作为10的幂，下同）即L2=L1×10 [（t1-t2）/20]
其中L2表示实际使用中电容的寿命，单位为小时、L1表示{zg}温度下的寿命（1000小时）、T1代表该电容所标明的{zg}工作温度（例如上面所说的125）、T2代表实际使用的温度（例如85℃等等）。
假设一颗{zg}工作温度为125℃的铝固体聚合物导体电容，在85℃下工作，那么它的寿命，通过计算我们可以得出L2=1000x10的2次方=100000小时，也就是说大约能工作11年左右。
铝电解液电容的计算公式：L2=L1×2^[（t1-t2）/10]
假设一颗{zg}工作温度为125℃的铝电解液电容，在85℃下工作，那么它的寿命，通过计算我们可以得出L2=1000x2的4次方=16000小时，也就是说大约只有不到2年。

上表列出了不同温度下，两种电容的寿命指标。大家可以看一看温度对这两种电容的寿命的影响程度。事实上温度对铝固体聚合物导体电容寿命影响的幅度还要更大，但由于其寿命基数大，所以{jd1}寿命要远超过铝电解液电容。

第8页：教你挑板卡 看图识别xx电容
在对各种不同型号的电容的性能有所了解之后，我们又该如何在现实当中识别它们呢？在消费者选购显卡、主板等产品的时候，若能快速判断其所用电容的档次，恐怕对{zh1}下决定还是很有帮助的——尤其是那些偏重产品做工的发烧友。
SANYO CVEX系列混合型电容：
  
图中绿色电容为SANYO CVEX
SANYO的CVEX系列电容，其阳极为铝（本章节介绍的所有电容阳极均为铝），阴极为固体聚合物导体加电解液的混合型。这种电容顶端一半为绿色，这是{zh0}的识别方式。CVEX有插件封装的，也有贴片封装的。某些型号的表面还有“E”字样。
紫色为TCNQ电容（SANYO）
SANYO OSCON的TCNQ全系列
SANYO OSCON系列分两种，其中一种的阴极采用TCNQ（在我们上篇文章当中对各种阴极材质的性能有详细介绍和比对，大家可以参考）有机半导体材质。这个系列的电容均采用直插封装，电容外部有PVC塑料外皮，外皮颜色为紫色。按性能不同，还分为“SF、SPA”等等具体型号。

SANYO OSCON系列之固体聚合物导体电容：
SANYO OSCON固体聚合物导体系列
SANYO OSCON SVP铝固体聚合物导体电容
（PS:现在市面用得最多的xx电容，我买的价格是6.3V 680UF的价格是9元1只）
SANYO OSCON系列中性能更好的是采用固体聚合物导体（PPY/PEDT）作为阴极材质的电容。这种电容的外壳没有塑料皮，铝壳直接外露。大部分采用SMT贴片封装，但是也有少数，例如图中的SEP系列是采用直插封装的。这种电容表面并没有SANYO字样，上表面的一半为紫色，是这种电容{zh0}的识别方式。

CHEMICON的PS系列
CHEMICON的PS系列电容同样采用固体聚合物导体（PEDT）作为阴极材质。为了和SANYO抗衡，CHEMICON的产品往往能做到与SANYO相同的价格，更好的性能。PS系列电容外壳上表面一半是蓝色，并可能有PS字样，电容为铝壳无塑料皮，有直插的，也有SMT贴片封装的。

图中蓝色为CHEMICON PS系列电容
以上便是在显卡和主板所常见的，阴极非电解液的xx铝电容。由于目前全球掌握固体聚合物技术的电容厂商还不多，而用在显卡、主板上的这类xx电容更是以SANYO和CHEMICON的产品为主。因此，我们在板卡上见到的其它铝电解电容基本都是铝电解液电容。比如我们常见的杂牌直插“包皮电容”，以及一些铝壳上端为黑色的贴片封装电容，它们无论是性能还是价格，与以上这些电容都有着较大的差距。

第9页：xx电容厂牌特色介绍

NICHICON
NICHICON是日本的老牌电容厂，其成名的时间和xx的RUBYCON（红宝石）差不多。不过它如今的水平比RUBYCON要好一些，因为NICHICON现在已经有铝固体聚合物导体电容——F55系列。不过NICHICON电容和SANYO、CHEMICON等厂牌相比，普遍的指标都比较低，其LOW ESR的{zg}端产品，ESR值还停留在10几毫欧姆的水平（SANYO的钽聚合物并联电容能达到5毫欧姆）。基本上，NICHICON的进步势头已经很慢了。

SANYO
SANYO在电解电容行业里面的地位，有些像三星在数字家电行业里面的地位。因为SANYO电容的种类和产量都是最多的，研发技术水准也是数一数二的。单从性能上看，SANYO可能并不算{zg}端的品牌，但是从生产规模、供货能力、品控能力和研发水平综合评判，SANYO{jd1}是如今电容行业里的龙头老大。

CHEMICON
CHEMICON也是一家非常老牌的厂，近年来收购了美国陶瓷电容大厂AVX，可谓如虎添翼。如今的CHEMICON不仅在电解电容上造诣很深，在陶瓷电容方面其技术和产品也是数一数二的。前文我们说过，为了和SANYO竞争，CHEMICON的产品，在价格相同的前提下，其规格往往会比SANYO更高。这有些像AMD对付INTEL的方式。

PANASONIC
这是我们熟悉的松下。PANASONIC的电解电容和陶瓷电容实力都很强。不过松下xx产品主要以钽固体聚合物电容为主，所以在一般硬件里面使用的很少。此外，松下的电解液电容GOLD（金装电容）系列也很有名。

此外，在电容业界还有一些老牌厂商，如ELNA、NEC 等。但由于这些厂商的电容产品，用于特殊行业的产品比较多，在硬件产品当中很难见到，这里不多做介绍了。

第10页：泼泼电容的冷水 写在{zh1}的话
讲了这么多电容的相关知识，想必大家也应该都有所收获。不过讲到这里，我们还有一些“冷水”要给大家泼一泼。
“冷水”之一：评价电容，看实质要大于看内容。
如今有很多杂志，包括硬件类和音响类的，一提到“红宝石”电容，无一顶礼膜拜，赞叹有加。那么，我们首先就来拿它开刀。

被神话的RUBYCON（红宝石）
所谓的“红宝石电容?涫稻褪侨毡镜腞UBYCON厂牌生产的电容产品。要是不说清楚的话，恐怕有些不了解电容的人，还以为这种电容是用红宝石造的呢（搞笑）。以前很多音响发烧友觉得“红宝石电容”是xx的象征。但事实上，RUBYCON如今在技术上已经处于落后状态——RUBYCON如今尚没有一款量产的固体聚合物导体电容，其产品口碑主要靠铝电解液电容来树立。何况，近几年RUBYCON的铝电解液电容的制造水平也在逐年降低，事实上其品质和价格都和一些国产电容越来越贴近了。这就是为什么近年来市场里一下冒出了很多采用“红宝石电容”的产品。
谈到电容，大家要记住的是——哪怕品牌再差的固体聚合物导体电容（其实有能力造出这种电容的厂家，其品牌就绝不会太差），也要比xx{zh0}的电解液电容好得多。这个“质变”和“量变”的道理，我想大家应该还是很容易理解的。所以看电容最重要的是看类型，而不是看品牌。如今很多厂商在宣传的时候，都说自己“使用三洋电容”，可具体是什么型号的三洋电容，就没几个人说了，可见其中的猫腻。当然，在电容类型相同的前提下，品牌号召力还是很重要的。
{zh1}说句题外话：如今还有很多玩音频的玩家，迷信什么聚丙烯（诸如此类薄膜电容）补品电容。其实随着技术的进步，薄膜电容有着进退两难的趋势，其低端产品正被铝聚合物电容代替，而在高精密、高Q场合，薄膜电容又无法和陶瓷电容相匹敌，所以大家以后不要盲目迷信很多音响杂志的宣传。实际性能才是我们最该关注的。

“冷水”之二：电容好坏，并不是全部。
电容的好坏，并不是决定一款产品好坏的充分条件，最多也只能算必要条件罢了。板卡产品的好坏，更多的还是取决于设计水平，假如设计不过关，那么堆积再多的xx电容也是无助于提升性能的。当然，如果是在设计水平相同的前提下——比如使用“公版PCB”的显卡，那么电容自然是越xx越好了。但是，如果是所谓的“非公版”，那么要考验的就是厂商的设计水平了。
不过对这一点我们似乎也不必关注太多，因为杂牌厂商虽然设计水平一般，但好象也不大可能用什么好电容。而大厂的设计水平有其过人之处，但也不会因此就采用比较低档的电容。