珠海回收TOSHIBA东芝内存条K4M56323PI-HG75
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采用flash介质时一个需要 考虑的问题是性。对于需要扩展mtbf的系统来说,flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(性)、位交换和坏块处理三个方面来比较nor和nand的性。
性
在nand闪存中每个块的大擦写次数是一百万次,而nor的擦写次数是十万次。nand存储器除了具有10比1的块擦除周期势,典型的nand块尺寸要比nor器件小8倍,每个nand存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。
由于需要i/o接口,nand要复杂得多。各种nand器件的存取方法因厂家而异。
在使用nand器件时, 先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向nand器件写入需要相当的技巧,,这就意味着在nand器件上自始至终都 进行虚拟映射。
其他作用
驱动还用于对diskonchip产品进行仿真和nand闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。
nor flash的读取和我们常见的sdram的读取是一样，用户可以直接运行装载在nor flash里面的代码，这样可以减少sram的容量从而节约了成本。（一般程序运行需要将程序从eprom中读取到ram中然后运行，但是nor flash可以直接读取运行。） nor flash带有sram接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。nor flash占据了容量为1～16mb闪存市场的大部分。 nand flashNCP1587DR2G MP1412DH-LF-Z MP2249DQT-LF-Z OPA376AIDBVR OPA2333AIDGKR OPA2378AIDCNR LT1783IS6#TRPBF LM258DR LMV722IDGKR LM258PT LM358DR2G STM809RWX6F SY8089AAAC TPS63700DRCR TPS76050DBVR TPS54610PWPR TPS40210DGQR TPS3839G33DBZR TPS7A3901DSCR W25X05CLNIG WCN-3660-0-79BWLNSP-TR-02-0 TPS51125ARGER G966A-25ADJF11U GD25Q80BSIG
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