ASE40N50SH-ASEMI高压N沟道MOS管ASE40N50SH
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ASE40N50SH-ASEMI高压N沟道MOS管ASE40N50SH
型号：ASE40N50SH
品牌：ASEMI
封装：TO-2247
大漏源电流：40A
漏源击穿电压：500V
RDS（ON）Max：0.1Ω
引脚数量：3
沟道类型：N沟道MOS管
芯片尺寸：MIL
漏电流：
恢复时间：5ns
芯片材质：
封装尺寸：如图
特性：高压MOS管、N沟道MOS管
工作结温：-55℃~150℃
ASE40N50SH场效应管
ASE40N50SH的电性参数：大漏源电流40A；漏源击穿电压500V
特征：
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展操作区域。
无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。
BVDSS=500V，Id=40A
RDS（开）:0.1mΩ （大值）@VG=10V
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