ASE50N06-ASEMI低压N沟道MOS管ASE50N06
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ASE50N06-ASEMI低压N沟道MOS管ASE50N06
型号：ASE50N06
品牌：ASEMI
封装：TO-252
大漏源电流：50A
漏源击穿电压：60V
RDS（ON）Max：5.8mΩ
引脚数量：3
沟道类型：N沟道MOS管
芯片尺寸：MIL
漏电流：
恢复时间：5ns
芯片材质：
封装尺寸：如图
特性：低压MOS管、N沟道MOS管
工作结温：-55℃~175℃
ASE50N06场效应管
ASE50N06的电性参数：大漏源电流50A；漏源击穿电压60V
特征：
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安操作区域。
无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。
BVDSS=60V，Id=50A
RDS（开）:0.15mΩ （大值）@VG=10V
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