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中芯发布公告称，公司就购买用于生产晶圆的阿斯麦产品与阿斯麦集团签订购买单，根据阿斯麦购买单购买的阿斯麦产品定价，阿斯麦购买单的总代价为 1201590 美元。这部分主要为 duv 光刻机。
今日，据财联社，透露，中芯正在努力重新获得订单，是其 14nm finfet 工艺订单。(it之家注：finfet 工艺是指鳍式场效应晶体管工艺，该工艺可大幅电路控制并减少漏电流，还可以大幅晶体管的栅长。)it之家了解到，3 月 10 日，据选股宝，从供应链获悉，中芯 14nm 制程工艺产品良率已追平台积电同等工艺，水准达约 90 -95 。目前，中芯各制程产能满载，部分成熟工艺订单已排至 2022 年。
据中芯介绍，中芯是的集成电路晶圆代工企业之一，也是内地技术，配套完善，规模大，跨国经营的集成电路制造企业。
中芯在上海建有一座 300mm 晶圆厂，一座 200mm 晶圆厂和一座实际控股的 300mm 设备制程晶圆合资厂;在北京建有一座 300mm 晶圆厂和一座控股的 300mm 晶圆厂;在天津和深圳各建有一座 200mm 晶圆厂;在江阴有一座控股的 300mm 合资厂。

 

 随着nand flash制程进步与线路宽度与间距的微缩，连带影响到抹写次数（p/e cycles）的缩减。slc存储器从3x 制程的100，000次p/e cycles、4个ecc bit到2x 制程降为60，000 p/e、ecc 24bit。mlc从早期5x 制程10，000 p/e、ecc 8bit，到2x/2y 制程时已降为3，000 p/e、24~40个ecc bit。  有厂商提出，eslc、islc的存储器解决方案，以运用既有的低成本的mlc存储器，在单一细胞电路单元使用slc读写技术（只储存单一位元的电荷值），抹写度提升到30，000次p/e，成本虽比mlc高，但远于slc，可应用在ipc／kiosk／pos系统、嵌入式系统、伺服器主机板以及薄型终端机等。 TS391RILT TSV734IPT TSX3702IST VN340SPTR-E VN5025AJTR-E VN5E050J-E VN800PSTR-E VND5025AK-E VND5E025AKTR-E VND600SPTR-E VNP35NV04-E VNQ5E160AKTR-E ULN2069B ULN2074B VIPER06HN VIPER26LN VIPER35LD VN340SP-33-E VND7NV04-E VNQ600PTR-E X-NUCLEO-IKA01A1 SMC30J33CA VN808CM-32-E VN808CM-E VN820SP-E