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东芝公司的发明人舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器（此处简称闪存）的概念。与传统电脑内存不同，闪存的特点是nvm，其记录速度也非常快。
intel是上个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年，公司推出了一款256k bit闪存芯片。它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里，intel发明的这类闪存被统称为nor闪存。它结合eprom和eeprom两项技术，并拥有一个sram接口。
种闪存称为nand闪存。它由日立公司于1989年研制，并被认为是nor闪存的理想替代者。nand闪存的写周期比nor闪存短90 ，它的保存与删除处理的速度也相对较快。nand的存储单元只有nor的一半，在更小的存储空间中nand获得了的性能。鉴于nand的表现，它常常被应用于诸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存储卡上。
nand 闪存的存储单元采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成储存块， nand 的存储块大小为 8 到 32kb ），这种结构大的点在于容量可以做得很大，超过 512mb 容量的 nand 产品相当普遍， nand 闪存的成本较低，有利于大规模普及。
nand 闪存的缺点在于读速度较慢，它的 i/o 端口只有 8 个，比 nor 要少多了。这区区 8 个 i/o 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比 nor 闪存的并行传输模式慢得多。再加上 nand 闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，性较 nor 闪存要差。
处理器（cpu）、绘图芯片（gpu）运算效能随摩尔定律而飞快进展，加上云端运算、网际网路行动化浪潮下，持续驱动动态存储器（dynamic ram；dram）的规格进化。从非同步的dip、edo dram，到迈向同步时脉操作的sdram开始，以及讯号上下缘触发的ddr/ddr2/ddr3/ddr4存储器，甚至导入20 与新型态的wide i/o介面以降低讯号脚位数与整体功耗。 处理器速度与云端运算持续驱动动态存储器规格的演变，从dip、edo、sdram到ddr/ddr2/ddr3/ddr4。samsung/micron/intel 回收芯成封装sot23-5封装芯片回收HOLTEK合泰WIFI芯片回收矽力杰稳压管理IC 回收尚途sunto网口IC芯片回收鑫华微创芯片回收CJ长电信号放大器回收SAMSUNG封装QFP144芯片回收韦克威WIFI芯片回收VincotechSOP封装IC 回收infineon蓝牙芯片回收silergy开关电源IC 回收iwatte/dialogADAS处理器芯片回收iwatte/dialog收音IC 回收威世蓝牙芯片回收丽晶微隔离恒温电源IC 回收intel逻辑IC 回收凌特集成电路芯片回收鑫华微创电池充电管理芯片回收松下进口IC 回收INFINEON路由器交换器芯片回收toshibaMOS管回收Xilinx驱动IC 回收美满进口IC 回收intelWIFI芯片回收toshiba声卡芯片回收海旭发动机管理芯片回收INTERSIL进口芯片回收intelADAS处理器芯片回收VISHAYSOP封装IC 回收ncs路由器交换器芯片回收Marvell音频IC 回收idesyn封装QFP芯片回收亿盟微封装SOP20芯片回收toshibaWIFI芯片
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