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采用flash介质时一个需要 考虑的问题是性。对于需要扩展mtbf的系统来说,flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(性)、位交换和坏块处理三个方面来比较nor和nand的性。

在nand闪存中每个块的大擦写次数是一百万次,而nor的擦写次数是十万次。nand存储器除了具有10比1的块擦除周期势,典型的nand块尺寸要比nor器件小8倍,每个nand存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。
由于需要i/o接口,nand要复杂得多。各种nand器件的存取方法因厂家而异。
在使用nand器件时, 先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向nand器件写入需要相当的技巧,,这就意味着在nand器件上自始至终都 进行虚拟映射。
其他作用
驱动还用于对diskonchip产品进行仿真和nand闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

 

sram是静态(s指的static)ram,静态指的不需要刷新电路,数据不会丢失,sram速度非常快,是目前读写快的存储设备了。 dram是动态ram,动态指的每隔一段时间就要刷新一次数据,才能保存数据,速度也比sram慢,不过它还是比的rom都要快。 sdram是同步(s指的是synchronous)dram,同步是指内存工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准 ddr、ddr2、ddr3都属于sdram,ddr是double daterate的意思,三种指的是同一系列的三代,速度更快,容量更大,功耗更小,现在出了ddr4,也是同一系列 rom回收瑞昱音频IC 回收艾瓦特蓝牙芯片回收ROHM电源管理IC 回收INFINEONBGA芯片回收NXP网口IC芯片回收idesyn封装QFN进口芯片回收NXP声卡芯片回收HOLTEK合泰蓝牙芯片回收瑞昱蓝牙芯片回收芯成稳压管理IC 回收semiment封装SOP20芯片回收INFINEON网口IC芯片回收ELITECHIP电池充电管理芯片回收SGMICRO圣邦微进口IC 回收ATMLE进口芯片回收NS封装QFP芯片回收maxim/美信稳压管理IC 回收亿盟微电源管理IC 回收ELITECHIP隔离恒温电源IC 回收intelMOS管回收PARADE谱瑞汽车电脑板芯片回收ON封装sot23-5封装芯片回收罗姆计算机芯片回收飞利浦芯片
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