25小时在线 158-8973同步7035 可微可电

采用flash介质时一个需要 考虑的问题是性。对于需要扩展mtbf的系统来说,flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(性)、位交换和坏块处理三个方面来比较nor和nand的性。
性
在nand闪存中每个块的大擦写次数是一百万次,而nor的擦写次数是十万次。nand存储器除了具有10比1的块擦除周期势,典型的nand块尺寸要比nor器件小8倍,每个nand存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。
由于需要i/o接口,nand要复杂得多。各种nand器件的存取方法因厂家而异。
在使用nand器件时, 先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向nand器件写入需要相当的技巧,,这就意味着在nand器件上自始至终都 进行虚拟映射。
其他作用
驱动还用于对diskonchip产品进行仿真和nand闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

 

 flash存储器又成为闪存，它与eeprom都是掉电后数据不丢失的存储器，但是flash的存储容量都普遍的大于eeprom，在存储控制上，主要的区别是flash芯片只能一大片一大片地擦除，而eeprom可以单个字节擦除。  sram是静态随机存取存储器。它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。stm32f1系列可以通过fsmc外设来拓展sram。  注意：sram和sdram是不相同的，sdram是同步动态随机存储器，同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准;动态是指存储阵列需要不断的刷新来数据不丢失;随机是指数据不是线性依次存储，而是自由进行数据读写。stm32的f1系列是不支持sdram的。 SSM6K513NU TB6643KQ(O,8) TB67B001FTG(O,EL) TB67H450FNG IR2101STRPBF IGW60T120 IKW20N60T IKW25N120T2 IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7 IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3G LM317LDR2G MMBZ5231BLT1G MAX708ESA-TG FAN6300AMY FAN73711MX FAN7631SJX FSL116LR FSL136MR GD32F103VET6 GD32F103RCT6 GD32F103C8T6