中芯发布公告称,公司就购买用于生产晶圆的阿斯麦产品与阿斯麦集团签订购买单,根据阿斯麦购买单购买的阿斯麦产品定价,阿斯麦购买单的总代价为 1201590 美元。这部分主要为 duv 光刻机。
今日,据财联社,透露,中芯正在努力重新获得订单,是其 14nm finfet 工艺订单。(it之家注:finfet 工艺是指鳍式场效应晶体管工艺,该工艺可大幅电路控制并减少漏电流,还可以大幅晶体管的栅长。)it之家了解到,3 月 10 日,据选股宝,从供应链获悉,中芯 14nm 制程工艺产品良率已追平台积电同等工艺,水准达约 90 -95 。目前,中芯各制程产能满载,部分成熟工艺订单已排至 2022 年。
据中芯介绍,中芯是的集成电路晶圆代工企业之一,也是内地技术,配套完善,规模大,跨国经营的集成电路制造企业。
中芯在上海建有一座 300mm 晶圆厂,一座 200mm 晶圆厂和一座实际控股的 300mm 设备制程晶圆合资厂;在北京建有一座 300mm 晶圆厂和一座控股的 300mm 晶圆厂;在天津和深圳各建有一座 200mm 晶圆厂;在江阴有一座控股的 300mm 合资厂。
ddr4较以往不同的是改采vddq的终端电阻设计,v- 目前计划中的传输速率进展到3,200mbps,比目前高速的ddr3-2133传输速率快了50 ,将来不排除直达4,266mbps;bank数也大幅增加到16个(x4/x8)或8个(x16/32),这使得采x8设计的单一ddr4存储器模组,容量就可达到16gb容量。 而ddr4运作电压仅1.2v,比ddr3的1.5v低了至少20 ,也比ddr3l的1.35v还低,更比目前x86 ultrabook/tablet使用的低功耗lp-ddr3的1.25v还要低,再加上ddr4一次支援 省电技术(deep power down),进入休眠模式时无须更新存储器,或仅直接更新dimm上的单一存储器颗粒,减少35 ~50 的待机功耗。 LMV552MMX PH9130AL LMP7715MFX BYQ28E-200 BYV29FX-600 TMP512AIDR ADF4153BCPZ TDA9981BHL/8/C1 FAN2106MP ISP1104W PCA9535BS LM4120AIM5X-4.1 LP3470M5X-3.08 BFG505 MIC5235-3.3YM5 P4SMA30A-E3/61 LP3470M5-4.63 MIC2142YM5 LP3990MF-1.2 LP3990MFX-1.2 LM4050AEM3-5.0 PBSS4160T NUP4201MR6T1G