9N90-ASEMI高压MOS管9N90

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9N90-ASEMI高压MOS9N90

型号:9N90

品牌:ASEMI

封装:TO-220AB

漏源电流:9A

漏源击穿电压:900V

RDSONMax1.4Ω

引脚数量:3

沟道类型:N沟道MOS

芯片尺寸:MIL

漏电流:

恢复时间:5ns

芯片材质:

封装尺寸:如图

特性:高压MOS

工作结温-55℃~150℃

9N90场效应管

9N90的电性参数:漏源电流9A;漏源击穿电压900V

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