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optotherm红外热射显微镜多少-立特为智能话：15219504346 （温先）

关键词：  Optotherm IS640 SENTRIS，Thermal Emission Microscope system

1. 它的应非常广泛，去封装的芯片，未去封装的芯片，容，FPC,甚小尺寸的路板（PCB、PCBA）,这也就让你可以在样品的不同阶段都可以使thermal术进，如下图示例，样品路板漏定位到某QFN封装器件漏，将该器件拆下后现漏善，该器件焊引线来，未封定位为某引脚，封后针再做，进一步确认为晶圆某引线位置漏导致，如有需要可接着做SEM,FIB等。

未封器件

封器件

2. 它能测的半导体缺陷也非常广泛，微安级漏，低阻抗短路，ES击伤，闩效应点，属层部短路等等，而容的漏和短路点定位，FPC,PCB,PCBA的漏，微短路等也能够xx定位

lock-in相

封芯片漏

GAN-SIC器件

3，它是无损：为日常的失效，往往样品量稀少，这就要求失效术{zh0}是无损的，而于某些例如陶瓷容和FPC的缺陷，虽然测能测存在缺陷，但是具体缺陷位置，市的无损如XRAY或超声波，却很难进定位，只能通过样品进破坏性切片，且只能随机挑选位置，而通过Thermal 术，你需要的只是给样品，就可以述两种缺陷进定位

FPC缺陷

容缺陷

4,相热成像（LOCK IN THERMOGRAPHY）：相术，将温度分辨率高到0.001℃，5um分辨率镜头，可以测uA级漏流和微短路缺陷，远由于传统热成像及液晶热点测法（0.1℃分辨率，mA级漏流热点）

5，系统能够测量芯片等微观器件的温度分布，了一种速测热点和热梯度的有效手段，热分布不仅能显示缺陷的位置，在半导体领域

在集成路操期间，内部结加热导致接处的热量集中。器件中的峰值温度处于接处本身，并且热从接部向外传导到封装中。因此，器件操期间的xx结温测量是热表征的组成部分。

芯片附着缺陷可能是由于诸如不充分或污染的芯片附着材料，分层或空隙等原因引起的。Sentris热工具（如 图像序列）可于评估样品由内到外的热量传递过程，以便确定管芯接的完整性。

OPTOTHERM Sentris 热射显微镜系统为一台专为缺陷定位的系统，专为子产品FA设计，通过特别的LOCK-IN术，使LWIR镜头，仍能将将温度分辨率升到0.001℃（1mK），同时光学分辨率{zg}达到5um,尤其其系统经过多年的优化，具有非常易和实，以下是OPTOTHERM Sentris 热射显微镜系统过程的说明视频

LEADERWE (‘Leaderwe intelligent international limited ‘and ‘ShenZhen Leaderwe Intelligent Co.,Ltd‘)为Optotherm公司中国表（独理），在深圳设立optotherm红外热应实验室，负责该设备的演示和售，如有相关应，可免费评估测试。

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中国主要办事处：深圳、香港、肥。

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红外热成像显微镜

随着子器件的不断缩小，热器和热耗散变得越来越重要。微型热显微镜可以测量并显示温度分布的半导体器件的表面，使热点和热梯度可显示缺损位置，通常导致效率下降和早期故障的速检测。

产品特点

检测芯片的热点和缺陷

子元件和路板故障断

测量结温

甄别芯片键缺陷

测量热阻封装
 
应

激光二极管性能和失效

20微/像素固定焦距

50度广角聚焦镜头

320*240非冷测器

30帧/秒拍摄和显示速度

0—300摄氏度测量范围

室温测量

便于使——1分钟安装测量待命

红外热成像配

了一广泛的工具

帮助客户非常容易而速获取温度息。

实时的带状图、拍摄及回放序列

不同视角和建设性的数据手段

热点及缺陷链接方法

infrasight MI的红外摄像机的灵敏度高结先进的降噪和图像增强算法检测和定位的热点在半导体器件消耗小于1毫瓦的功率和升高温度，表现只有0.05摄氏度。短时间试验中，设备通常是的5到10秒。I/O模块使{zd0}功耗是与测试同步。测试平均阻低于一欧姆短路检测。因为低阻短路消失，只有少量的和热，一系列的测试可以一起平均高测试灵敏度。动停止功能I/O模块继器动切断源，设备/板为一个预先定义的阈值以的短温度升高。

这种安全功能可以帮助防止设备/板损坏，同时定位时间。微量可于测量功能的器件结温。为了准确测量结温，一个模具的表面射率的地图必须首先被创建。该装置是安装在温阶段控在均匀的温度。然后计算thermalyze的表面，适于热图像纠正射率的变化在死像素的射率的地图像素。测量结温，设备，{zg}温度区域内围交界处测量。