在半导体行业中，xx处理器芯片一般功耗大，对散热要求高。与传统的硅脂导热膏材料相比，金属材料是目前行业内散热xxxx的材料。在xx处理器芯片的封装工艺中，与其他金属材料相比，铟金属（铟元素、铟合金）的导热性和物理性能使其散热性能大大优于其他金属材料。铟的导热系数可达86W/cm·℃，而且铟是一种银白色的软金属，可塑性和延展性很强，可压制成片状。夹在中间，那么散热性能更好。铟片独特的散热方式，使其在芯片的封装结构中经常使用。但由于金属铟的熔点较低（156.61°C），封装过程中锡金属的回流温度可能达到260°C左右。在这个温度下，金属铟会沸腾，很容易流动并飞溅和溢出到电容器等元件上。器件，导致其电性能失效。另外，由于金属铟的溢出，覆盖不足，可能容易导致散热量降低等问题。

考虑到铟片在半导体封装工艺中的优势，友硕ELT提供了一个可以解决其工艺问题的解决方案，该工艺方案可以用于批量生产。

基本上，金属铟目前在半导体封装中有两种不同的应用。第一个是铟焊接的芯片键合工艺。与焊锡膏的特殊焊接相比，它还含有助焊剂。设备焊锡印刷和SMT后，使用友硕ELT消泡炉。在较低温度固化过程中，其空隙率和散热效果比传统无铅锡膏更有优势。此外，友硕ELT还提供铟散热片技术，主要用于FC产品。芯片正常FC键合后，通过CUF、脱泡炉、回流、助焊剂清洗，然后用铟片键合在芯片背面，然后进行第二次脱泡。烘箱（低温工艺），工艺稳定，可实现批量生产，无需考虑因铟片熔点低与高温回流炉温度不匹配而产生的各种故障问题。

友硕ELT真空压力脱泡系统打破传统工艺瓶颈，采用多项创新发明专利技术，利用真空压力交互切换方式，使烧结物料致密均匀。特殊的温度控制方法，可实现箱体的快速升温和降温，大大提高了UPH。炉体有压力容器认证证书，并设有超压、超温保护装置，使用安全。设备还具有多个可选项目，如氧含量控制、挥发物去除装置、电子增压系统，以及炉门的自动开闭等，可按客户要求设计，高品质、高可靠性。

友硕ELT依托热流、气压等核心高科技技术，已连续多年成功量产以多场消泡系统和圆片级真空层压系统为代表的两大先进封装设备系统，正在成为全球热流空气压力技术的xxx。20年的技术积累，专注于提高消泡膜和复合膜的良率，提供半导体行业先进封装整体解决方案，成功赋能全球半导体、芯片、新能源、5G、汽车等细分领域。