当前常见计算机存储器介绍　　　　　　

各种随机存储器的特点

　　1. DRAM(Dynamic RAM，动态随机存储器)
　　最初为页面模式存储器(Page Mode RAM,PM RAM)，后 来则为快速页面方式存储器(Fast Page Mode RAM，FPM RAM)，CPU访问连续地址时，在指出行地址后，它只要不断地指定列地址就可以读出数据。在取出同一行的数据时，用不着每一次都要再指定行地址，因而可以提高读写速度。
　　2. EDO RAM(Extended Data Out RAM，扩展数据输出存储器)
　　EDO技术只需在普通DRAM的接口上增加了一些逻辑电路，以减少定位读取数据时的延时，从而提高了数据的存取速度。通常被读取的指令或数据在RAM中是连续存放的，即下一个要读写的单元位于当前单元同一行的下一列上。所以在读写的单元的周期中，就可以初始化下一个读写周期，EDO技术正是利用这一地址预测功能，从而缩短读写周期。另外，为了使充电线路上的脉冲信息保持一定的时间，EDO技术还在输出端增加了一组“门槛”电路，将充电线上的数据保持到CPU准确读完为止。
　　EDO技术与以往的内存技术相比，最主要的特点是取消了数据输出与传输两个存储周期之间的间隔时间。同高速页面方式相比，由于增大了输出数据所占的时间比例，在大量存取操作时可极大地缩短存取时间，性能提高近15％～30％，而制造成本与快页RAM相近。
　　3. BEDO RAM(Burst Extended Data Output RAM，突发扩充数据输出随机存储器)
　　突发模式技术是假定CPU要读的下四个数据的地址是连续的，同时启动对它们的操作，可更大地增加RAM的带宽。
　　BEDO RAM工作方式是在一“突发动作”中读取数据，即在提供内存地址后，CPU假定其后的数据地址，并自动把它们预取出来。于是在每个时钟周期可读三个数据中的每一个数据，从而明显提高指令的传送速度。它的缺陷是无法与高于66MHz的总线相匹配。
　　4. SDRAM(Synchronous DRAM，同步动态随机存储器)
　　此RAM与系统时钟同步，以相同的速度同步工作，这样就可以取消等待周期，减少数据存储时间。同步还使存储控制器知道在哪一个时钟脉冲期使数据请求使用，因此数据可在脉冲上升沿便开始传输，而EDO RAM每隔2个时钟脉冲周期才开始传输，FPM RAM每隔3个时钟脉冲周期才开始传输。SDRAM也采用了多体(Bank)存储器结构和突发模式，能传输一整块而不是一段数据。
　　由于SDRMA性能比EDO内存条提高50％，是同CPU定时同步的DRAM技术，它可以以高达100MHz的速度传递数据，是标准DRAM的4倍。另外SDRAM不仅可用作主存，在显示卡方面也有广泛应用。
　　5. SDRAM Ⅱ
　　同步动态随机储存器Ⅱ，也称DDR(Double Data Rate)，其核心以SDRAM为基础，但在速度和容量上有明显提高。与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPUxx同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来xx定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。
　　6. CDRAM(Cached DRAM，高速缓存随机存储器)
　　此项技术把高速的SRAM存储单元集成至DRAM芯片中，作为DRAM内部的缓存，其两者存储单元间通过内部总线相连。
　　7. SLDRAM(Sync Link DRAM，同步链接动态随机存储器)
　　SLDRAM是一种增强和扩展的SDRAM架构，它较当前的4体(Bank)结构扩展到16体，并增加了新接口和控制逻辑电路，同SDRAM一样使用每个脉冲前沿传输数据。
　　8. RDRAM(Rambus DRAM)
　　由Rambus公司开发的具有系统带宽、芯片到芯片接口设计的新型高性能DRAM，能在很高的频率范围下通过一个简单的总线传输数据。
　　由于利用行缓冲器作为高速暂存，故能够以高速方式工作。普通的DRAM行缓冲器的信息在写回存储器后便不再保留，而RDRAM则具有继续保持这一信息的特性，于是在进行存储器访问时，如行缓冲器中已经有目标数据，则可利用，因而实现了高速访问。另外其可把数据集中起来以分组的形式传送，所以只要最初用24个时钟，以后便可每1时钟读出1个字节。一次访问所能读出的数据长度可以达到256字节。
　　9. Concurrent RDRAM(并行型RDRAM)
　　属第三代RDRAM，在处理图形和多媒体程序时可达到非常高的带宽，即使在寻找小的、随机的数据块时也能保持相同的带宽。作为RDRAM的增强产品，它在600MHz的频率下可达到每个通道600MB/s的数据传输率。另外Concurrent RDRAM同其前一代产品兼容，预计今年其速度可达到800MHz。
　　10. Direct RDRAM
　　Direct RDRAM是现在RDRAM的扩展，它使用了同样的RSL(Rambus Signaling Logic, Rambus信号逻辑)技术，但其接口宽度达到16位，频率达到800MHz，效率更高。单个Direct RDRAM传输率可达1.6GB/s，2个的传输率可达3.2GB/s。1个Direct RAM使用2个8位通道，传输率可达1.6GB/s，3个通道的传输率可达2.4GB/s。
　　11. PC100 SDRAM
　　又称SPD(Serial Presence Detect)内存，这是专为支持100MHz主板外频的芯片组相匹配的带有SPD的新一代内存条，SPD为内存的一种新规范，就是在SDRAM内存上加入一颗很小的EEPROM，可以预先将内存条的各种信息如内存块种类、存取时间、容量、速度、工作电压等写入其中。电脑启动过程中，系统的BIOS通过系统管理总线把SPD的内容读入，并自动调整各项设定以达到最稳定和{zy}化效果。

显示随机存储器

　　随着计算机图形处理的需要，对显示器分辨率和颜色的要求不断提高，传统的DRAM已经不能适应现有高速图形加速芯片所需要的显存性能，于是出现了新型的显存类型。
　　1. MDRAM(Multiband DRAM，多体动态随机存储器)
　　一般DRAM在访问RAM的不同部分时总要有一定损耗，当在多个进程进行并发的存储器访问时则问题更严重。MDRAM为划分成多个独立的有效体，因此每个进程在进行显示刷新、视频输出或图形加速时就不会有损耗。
　　2. SGRAM(Synchronous Graphics RAM，同步图形随机存储器)
　　SGRAM是SDRAM的增强，它支持写掩码和块，这是图形处理中两特点有用的操作。写掩码减少xx了对内存的读→修改→写操作，而块写则有利于前景或背影的填充。
　　3. VRAM(Video RAM，视频随机存储器)
　　VRAM是专门为图形应用优化的双端口存储器。它有一个特殊的串行输出来提供刷新显示所需要的数据流，xx了访问其他类型的内存时发生的冲突。
　　4. WRAM(Windows RAM，视窗随机存储器)
　　视窗专用RAM，它和VRAM(Video RAM)一样为双端口，从而可同时处理向视频存储器和数模转换器传输数据。WRAM在普通RAM的基础上，使图形、图象处理具有智能的特性，并可增强屏幕重画性能的彩色写块模块，以用能提高字符显示性能的存储器设计等。

静态随机存储器

　　1. Async SRAM(Asynchromous Static RAM，异步静态随机存储器)
　　Async SRAM依赖CPU时钟，其存取速度较DRAM快，有20ns、15ns和12ns几种。但在存取数据时，仍不能够与CPU保持同步。
　　2. Sync Burst SRAM(Synchronous Burst SRAM，同步突发静态随机存储器)
　　Sync Burst SRAM的存取速度可达8.5到12ns，在总线速度为66MHz的系统上，此RAM可与CPU的运行速度保持同步，而总线速度超过66MHz时此RAM便超负荷。
　　3. PB SRAM(Pipelined Burst SRAM，管道突发随机存储器)
　　通过运用输入输出寄存器，SRAM可以形成像管道那样的数据流水线传输模式。在总线速度高于或等于75MHz时，此RAM为最快的缓存型随机存储器。PB SRAM的存取速度可达到4.5到8ns。
　　4. L1 Cache(Level 1 Cache，一级高速缓存)
　　L1 Cache是内嵌于CPU中，用于缓存代码和数据，可以明显加快CPU对外连高速缓存和RAM访问速度，其容量已从原8KB扩至目前64KB。
　　5. L2 Cache(Level 2 Cache，二级高速缓存)
　　通常L2 Cache由SRAM组成，主要协调CPU与主存之间的速度匹配，其方法早期是在CPU与DRAM间加上L2 Cache，可担负着85％的内存请求，同时又不增加CPU的额外等待时间。后来Intel公司在Pentium Pro及PⅡ芯片中，将L2 Cache与CPU封装在一起并采用独立的总线结构，也使得系统性能大幅度提高。

部分随机存储器术语对照表