目前，LSI布线一般采用铜（Cu）。但今后微細化将导致布线的{zd0}电流密度增加，因此22nm工艺以后铜将难以满足要求。虽然在探讨将碳纳米管作为替代材料上有所进展，但用于水平方向的布线时存在问题。
此次富士通等开发出无需催化剂形成石墨烯的技术，考虑用于水平方向的布线中。石墨烯的形成采用了日本东北大学开发的“光电子控制等离子CVD”。即利用因照射UV光而从底板中放射出来的光电子，在底板上局部产生等离子的方法。可向底板表面高效供应自由基，因此具有成膜速度快、成膜温度低的特点。
具体方法是，采用甲烷（CH4）和氩气（Ar）混合的原料气体，以光电子控制等离子CVD在SiO2膜上形成100nm的石墨烯。之后，通过LSI加工中使用的普通光刻胶材料和蚀刻方法形成图案，并检测电气特性。另外，由于目前石墨烯的结晶性较低，富士通等将其称为“网状纳米石墨”。
富士通等进行了改进，使其可比原来的光电子控制等离子CVD更有效放射光电子，结果形成的网状纳米石墨的电阻率为600μΩ·cm左右。比一般约为40μΩ·cm的石墨电阻率高出一位数以上。今后将施以提高光电子的发生效率等改进，以期进一步降低电阻率。
该研究成果的详情将在从2010年6月7日开始于美国旧金山举行的LSI布线技术国际学会“IITC（International Interconnect Technology Conference）”（）上发布。另外，该项研究是作为JST/CREST项目的一部分而实施的。（记者：河合 基伸）
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