一般术语

1.          半导体：semiconductor 电阻率介于导体与绝缘体之间，其范围为１０E-5----10E9 Ω.cm的一种物质。在较宽的范围内，电阻率随温度的升高而减少。电流是由带正电的空穴和带负电的电子的定向传输实现的。半导体按其结构可分为三类：单晶体、多晶体和非晶体。

2.          元素半导体： elemental semiconductor 由一种元素组成的半导体。硅和锗是最常用的元素半导体。

3.          化合物半导体： compound semiconductor由两种或两种以上的元素化合而成的半导体，如砷化镓、镓铝砷等。

4.          本征半导体：intrinsic semiconductor晶格完整且不含杂质的单晶半导体，其中参与导电的电子和空穴数目相等。这是一种实际上难以实现的理想情况。实际上所说的本征半导体是指仅含极痕量杂质，导电性能与理想情况很相近的半导体。

5.          导电类型：conductivity type半导体材料中多数载流子的性质所决定的导电特性。

　型半导体n-type semiconductor多数载流子为电子的半导体。

7.          p-　型半导体p-type semiconductor多数载流子为空穴的半导体

8.          空穴hole：半导体价带结构中一种流动空位，其作用就像一个具有正有效质量的正电子电荷一样。

9.          受主accepter：半导体中其能级位于禁带内，能“接受”价带激发电子的杂质原子或晶格缺陷，形成空穴导电。

10.       施主donor：半导体中其能级位于禁带内，能向导带“施放”电子的杂质原子或晶格缺陷，形成电子导电。

11.       载流子carrier：固体中一种能传输电荷的载体，又称荷电载流子。例如：半导体中导电空穴和导电电子。

12.       载流子浓度carrier concentration:单位体积的载流子数目。在室温无补偿存在的情况下为电离杂质的浓度。空穴浓度的符号为p,电子浓度的符号为n。

13.       多数载流子majority carrier:＞载流子总浓度一半的那类载流子。例如：Ｐ型半导体中的空穴。

14.       少数载流子minority carrier：＜载流子总浓度一半的那类载流子，例如：Ｐ型半导体中的电子。

15.       杂质浓度impurity concentration：单位体积内杂质原子的数目。

16.       深能级deep-level impurity：一种化学元素，当其引入半导体中，形成一个或多个能级。该能级距导带底、价带顶较远，且多位于禁带中央区域，介于n型和p型掺杂剂杂质能级之间。

17.       复合中心recombination center：半导体中对电子和空穴起复合作用的杂质或缺陷。

18.       补偿compensation：半导体内同时存在施主杂质和受主杂质，施主杂质施放的电子为受主杂质接收，其作用相互抵消。

19.       耗尽层depletion layer：荷电载流子电荷密度不足以中和施主和受主的净固定电荷密度的区域，又称势垒区、阻挡层或空间电荷层。

20.       红外吸收光谱infrared absorption spectrum：当半导体受到红外光的辐射时，产生振动能级的跃迁。在振动时伴有偶极矩改变的原子，吸收红外光子所形成的光谱。