| 【中文篇名】 | 半导体釉的组成 |
| 【作者】 | 安太略; 王振林; |
| 【文献出处】 | 电瓷避雷器 , Insulators and Surge Arresters, 编辑部邮箱 1981年 04期 期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 CJFD收录刊 |
| 【中文关键词】 | 表面电阻率; 三氧化二锑; 半导体釉; 基础釉; 氧化锡; 平均粒度; 瓷绝缘子; 氧化锌; 金属氧化物; |
| 【摘要】 | <正> 本发明涉及到施于瓷绝缘子表面用作导电釉的半导体釉的组成。这种涂层常用来控制绝缘子整个表面的电压分布,以减少闪络。为此,半导体釉通常由基础釉添加各种金属氧化物所组成。这种釉一般以釉浆形式 |
| 【DOI】 | CNKI:SUN:DCPQ.0.1981-04-013 |
| 【更新日期】 | 2006-10-01 |
| 【正文快照】 | 本发明涉及到施于瓷绝缘子表面用作导电仙沟半导体釉门组成。这种涂层常用来控制绝缘子整个表面的电压分布,以减少闪络。 为此,半导体釉通常由基础釉添加各种金属氧化物所组成。这种釉一般以釉浆形式施于绝缘子或其生坯体表面,然后烧附于表面上。添加到基础釉中的金属氧化物「 |
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