双掺硅单晶及其P-N结研究
| 【中文篇名】 | 双掺硅单晶及其P-N结研究 |
| 【英文篇名】 | An Investigation on Dual-Dopant Si and Its P-N Junction |
| 【作者】 | 林金庭; 徐稼迟; 王因生; 桂德成; 熊承堃; |
| 【英文作者】 | Lin Jinting; Xu Jiachi; Wang Yinsheng; Gui Decheng; Xiong Chengkun （Nanjing Solid State Devices Research Institute）; |
| 【作者单位】 | 南京固体器件研究所; |
| 【文献出处】 | 固体电子学研究与进展 , Research & Progress of Solid State Electronics, 编辑部邮箱 1984年 04期 期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 中国期刊方阵 CJFD收录刊 |
| 【中文关键词】 | 单晶; 掺杂比; 双掺杂; 掺硅; 结深; P-N结; 杂质分布; |
| 【摘要】 | 按照一定的掺杂比例制备了一种双掺硅单晶。单晶片经热处理后形成的P-N结具有结深浅、均匀、杂质浓度分布不同于扩散结和离子注入结等特点。本工作对P-N结形成的规律进行了理论和实验研究,结果十分吻合。对P-N结的基本特性和光学性能的研究说明:这种双掺硅形成的P-N结有可能用于制作光电器件、集成电路、太阳能电池和某些特殊器件。结果还有助于对硅表面反型的机构及界面问题的进一步认识。这项研究工作还提供了一种新的获取P-N结的工艺方法,这种方法在制造某些器件和集成电路时,工艺将大为简化。 |
| 【英文摘要】 | ual-dopant Si is fabricated with specified doping proportions. Its PN junction, formed by heat treatment of single crystal wafers, is characterized with shallow junction depth, unifomity, and doping profile different from those in diffusion and ion implantation. Theoretical and experimental investigations are conducted for the formation of PN junction and are in very good agreement. Study on the fundamental characteristics and optical performance of the junction shows the possibility of using this technique… |
| 【DOI】 | CNKI:SUN:GTDZ.0.1984-04-000 |
| 【正文快照】 | 一、gi 言 众所周知,补偿度大的硅单晶在电学特性上对器件和集成电路的制造是不利的。然而,目前用于器件和集成电路的硅材料均有一定的补偿度。实际上,在P-N结附近——无论是扩散结或者离子注入结——都是高补偿区,P-N结处是一个全补偿面,而且在硅器件制造过程中,往往必需经过 |
