E波段GaAs体效应二极管
| 【中文篇名】 | E波段GaAs体效应二极管 |
| 【英文篇名】 | E-Band GaAs Gunn Diodes |
| 【作者】 | 朱世年; 沈怡怡; 戴沛然; |
| 【英文作者】 | Zhu Shinian; Shen Yiyi; Dai Peiran （Nanjing Solid State Devices Research Institute）; |
| 【作者单位】 | 南京固体器件研究所; |
| 【文献出处】 | 固体电子学研究与进展 , Research & Progress of Solid State Electronics, 编辑部邮箱 1984年 03期 期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 中国期刊方阵 CJFD收录刊 |
| 【中文关键词】 | 波段; 管芯; 台面; 陶瓷管壳; GaAs; 渡越; 器件设计; 体效应二极管; 体效应器件; |
| 【摘要】 | 本文叙述E波段(60～90GHz)GaAs体效应二极管的设计及其研制结果,着重阐述合理设计材料参数和结构参数,通过选择{zj0}材料参数和使用超小型同轴陶瓷管壳,使器件的微波性能和可靠性得列提高。在80GHz和90GHz频率下,分别获得了70mW和42mW的输出功率,效率相应为2.6％和2.1％。 |
| 【英文摘要】 | This paper presents the design and the experimental results of the E-band (60-90GHz) GaAs Gunn-effect Diode with the emphasis on the proper design material and structural parameters. Microwave performance and reliability of diodes have been improved due to the selection of optimal material parameters and to the use of ultra-miniature coaxial ceramic package.The diodes have a power output of 70mW at 80GHz and 42mW at 90GHz, with efficiency of 2.6% and 2.1%, respectively. |
| 【DOI】 | CNKI:SUN:GTDZ.0.1984-03-003 |
| 【正文快照】 | 一、前 言 众所周知,GaAs体效应二极管是一种中小功率转移电子振荡器件,fll它制作参l放大器泵源及其它小功率冈态振荡源,几有噪声小、频个可调范冈宽、可光性7”1、斤命民 以及工作电压低、便于在电路中使用等特点。自六十年代中期问世以来,获得了迅速发展,在匝米波及毫米波段 |
