| 【中文篇名】 | 砷化镓肖特基势垒栅微波场效应晶体管的直流特性 |
| 【英文篇名】 | THE D.C.CHARACTERISTICS OF MICROWAVE GaAs SCHOTTKY BARRIER GATE FIELDEFFECT TRANSISTOR |
| 【作者】 | 李智; |
| 【英文作者】 | Li Zhi; |
| 【文献出处】 | 成都电讯工程学院学报 , [英文刊名], 编辑部邮箱 1981年 02期 期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 中国期刊方阵 CJFD收录刊 |
| 【中文关键词】 | 电场特性; 微波场效应晶体管; 载流子; 肖特基势垒栅场效应晶体管; 直流特性; 沟道; 饱和漂移速度; 砷化镓; 碰撞电离; 漏电压; |
| 【摘要】 | 本文主要分析了砷化镓肖特基势垒栅微波场效应晶体管的直流特性。分析表明,在低电压区基本符合肖克莱缓变沟道理论,但当电压增加到沟道内的载流子达到饱和漂移速度时,源-漏间的直流特性不能再用肖克莱的缓变沟道理论,必须进行二维分析。由于砷化镓的速度-电场特性具有(刀贝)的斜率,其源-漏间的直流特性要出现微分(刀贝)阻,通过对实际砷化镓肖特基势垒栅微波场效应晶体管的测量,观察了这一微分(刀贝)阻,并为测量 S_(22)大于1所证实。当漏电压进一步提高时,会出现栅流随漏电压的增加而增加,这一现象可用来研究碰撞电离,且具有较高的灵敏度。 |
| 【英文摘要】 | In this paper,the D.C.characteristics of microwave GaAs Schottky barrier gate field-effect transistor is analysed.It is shown that in the low voltage region,source- drain D.Q.characteristics are essentially in agreement with the Shockley gradual chan- nel theory,however,as the voltege increases to that value which causes the carriers in the channel reach the saturation velocity(Usually the channel of microwave field- effect transistor is so short as to cause the velocity of carriers in the channel saturatio… |
| 【DOI】 | CNKI:SUN:DKDX.0.1981-02-003 |
| 【更新日期】 | 2006-08-10 |
| 【正文快照】 | 一、月U言 砷化稼肖特基势垒栅场效应品体管的高频低噪声性能优于硅双极晶体管。实践表明,不但在厘米波段有较好的噪声特性,而且很有希望成为实用的低噪声毫米波放大器件。 场效应现象虽在1928年就有人提出,但其经典的场效应品体管理论直到1952年才由w.Shocklcy川报导,而且其实 |
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