GaN基半导体材料的157 nm激光微刻蚀
2010-04-10 21:29:22 阅读9 评论0 字号：大中小
采用157 nm波长准分子激光,对薄膜进行了刻蚀试验研究。探讨了GaN基半导体材料的基本刻蚀特性和刻蚀机理。结果表明,157 nm激光在能量密度高于2.5 J/cm2时,刻蚀速率可达50 nm/pulse以上。以低于16 Hz脉冲频率和高于0.25 mm/min的扫描速度进行激光直写刻蚀时,可以获得Ra30 nm以下的表面粗糙度。采用扫描刻蚀方法,可以加工出75°左右的刻蚀壁面。实验也证明157 nm激光在三维微结构加工方面具有较大的潜力。单光子吸收电离引起的光化学反应是157 nm激光刻蚀GaN基材料的主要机理。
标 签 光学制造 157 nm准分子激光 GaN基材料 微刻蚀
标 签 光学制造 157 nm准分子激光 GaN基材料 微刻蚀
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