石英舟HCl-H_2-Ga高温处理
| 【中文篇名】 | 石英舟HCl-H_2-Ga高温处理 |
| 【作者】 | 梁连科; 鄂义太; 姜凤来; 郭庆云; 李庆辉; |
| 【作者单位】 | 东北工学院; 营口火柴厂; |
| 【文献出处】 | 半导体技术 , Semiconductor Technology, 编辑部邮箱 1984年 01期 期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 CJFD收录刊 |
| 【中文关键词】 | GaAs单晶; 石英舟; α-方石英; 高温处理; |
| 【摘要】 | <正> 在水平法生长GaAs单晶过程中常常发生晶体与石英舟的沾润,而引起单晶位错大幅度增殖,严重时会导致长成李晶和多晶.近年来,国内外对沾润机理和解决措施进行了一些研究.山口正夫等喷砂的石英舟进行高温处理,舟表面形成α-方石英微晶层,可得到具有金属光泽的单晶.Yamayuchi等发现在生长GaAs单晶后石英舟喷砂表面形成α-方石英粉末层减少熔体与石英舟直接接触避免和舟沾润.本文采取HCI和Ga在H_2气氛下对石英舟进行高温处理工艺(简称HCl-H_2-Ga处理)配合合理的拉品工艺可避免沾润,降低位错,进一步提高GaAs纯度.并根据实验结果确定合理的处理舟工艺. |
| 【DOI】 | CNKI:SUN:BDTJ.0.1984-01-003 |
| 【正文快照】 | 一、引言 、 V●p 在水平法生长GaAs单晶过程中常常发生晶体与石英舟的沾润,而引起单晶位错大幅度增殖,严重时会导致长成孪晶和多晶[1]。近年来,国内外对沾润机理和解决措施进行了一些研究。山口正夫[2]等喷砂的石英舟进行高温处理,舟表面形成a一方石英微晶层,可得到具有金属光 |
