| 【中文篇名】 | 固体微波功率放大器的可靠性 |
| 【作者】 | 金; |
| 【文献出处】 | 半导体情报 , [英文刊名], 编辑部邮箱 1981年 03期 期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 CJFD收录刊 |
| 【中文关键词】 | 贮存时间; 直流; 微波功率放大器; 制造; 失效率; 贝尔实验室; 高可靠性; 电压; 无线电; 输入电流; |
| 【摘要】 | <正> 据报道,美国贝尔实验室制造出用于无线电接力的、在4GC 下输出5W 和2W 的 GaAsFET功率放大器。所用电压为24V,由四级放大构成,直流输入电流分别为2.4A 和1A。对于2100部2W 放大器进行的贮存时间达19,700,000小时。这一数据是通过设计和制造高可靠性器件来得到的。开始和后来采用的 GaAsFET 的失效率分别为1000Fit 和100Fit。6部2W 样机在贝 |
| 【DOI】 | CNKI:SUN:BDTQ.0.1981-03-015 |
| 【更新日期】 | 2006-08-10 |
| 【正文快照】 | 据报道,美国贝尔实验室制造出用于无线电接力的、在4GC下输出SW和2砰的GaAsFET功率放大器。所用电压为24V,由四级放大构成,‘直流输入电流分别为2.4且和IA。对于2100部2万放大器进行的贮存时间达19,70。,00。小时。这一数据是通过设计和制造高可靠性器件来得到的。开始和后来采 |
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