 SiFotonics Technologies Co., Ltd.于近日率先发布了具有2.5Gb/s速率、运用于光通信的接收器芯片TP1001。这款芯片采用工业大规模生产的8英寸制造，集成了应变锗光电探测器和CMOS跨阻放大器(TIA)。目前，SiFotonics已经在两个全球{yl}的晶圆制造专工厂成功制造出此芯片。
SiFotonics CEO潘栋博士谈到，“目前，工业界生产都是依赖于两个芯片来完成：用基于砷化镓或磷化铟衬底材料的光电探测器和另一个跨阻放大器芯片装配成ROSA。而SiFotonics克服了众多的技术挑战，把这两种功能在同一硅衬底上成功单片集成，并在世界{yl}的晶圆专工厂制造实现。我们很高兴的宣布，这一款能够实现2.5Gb/s数据速率的TP1001集成接收器芯片已经通过严格的功能和可靠性测试。据我们所知，这是世界上{dy}款成功运用量产CMOS技术来实现单片集成的光接收器。这一创新的集成芯片运用了美国麻省理工学院在硅基光电领域{zxj}的研发成果。麻省理工学院在此领域已经投入了多年的{lx1}技术研发，在世界范围内享有盛誉。我们期望，运用同一研发技术和制造程序，SiFotonics会在很短时间内发布10Gb/s的集成芯片。
硅基领域xx, 美国麻省理工学院材料科学与工程Lionel C. Kimerling教授指出，“这款硅基光电集成芯片的成功是一个很大的成就！它代表的不仅仅是科技上的突破，同时也是制造程序和芯片设计的xx结合。”
SiFotonics市场和销售副总裁Jack Yuan先生展望道，“TP1001为业界掀开了全新的一页。由于我们可以采用同一CMOS制程把其他功能的专用芯片同TP1001集成，这一产品不但适用于电信传送，同样适合于数据通信领域；更值得指出的是，TP1001芯片具有2.5Gb/s速率，能够以低成本把光传送数据交换效能引入到对成本非常敏感的应用领域，诸如计算机互连和消费电子等领域。”
TP1001是一个2.5Gb/s光接收器单片集成芯片，通过在硅衬底上生长锗的技术将光电探测器同CMOS TIA集成为一体。该款芯片将使用在光纤输入的前端，它的功能是将接收的光信号转换成为电信号，能够覆盖4个关键波长：650nm，850nm，1,310nm，和1,550nm。使用标准的CMOS 3.3V电源接口，具有-25dBm的灵敏度和0.9A/W的响应度。其中TIA可提供300kΩ的典型差分增益，整个芯片功耗不超过132mW。该款芯片目前已经有样品可供试用，将于2010年6月进入量产阶段。 SiFotonics™发布全世界{dy}款可量产CMOS单片集成的光接收器芯片 Woburn, 美国马萨诸塞州 - 2010年3月22日- 在硅集成光通信元件供应商中居{lx1}地位的SiFotonics™Technologies Co., Ltd.，于2010年3月22日率先发布了具有2.5Gb/s速率、运用于光通信的接收器单片集成芯片TP1001。这款芯片采用工业大规模生产的8英寸硅晶圆制造，集成了应变锗光电探测器和CMOS跨阻放大器(TIA)。目前，SiFotonics已经在两个全球{yl}的半导体晶圆制造专工厂成功制造完成这一芯片。 SiFotonics CEO潘栋博士谈到，“目前，工业界生产光接收器都是依赖于两个芯片来完成：用基于砷化镓或磷化铟衬底材料的光电探测器和另一个跨阻放大器芯片装配成ROSA。SiFotonics 克服了众多的技术挑战，把这两种功能在同一硅衬底上成功单片集成，并在世界{yl}的晶圆专工厂制造实现。我们很高兴的宣布，这一款能够实现2.5Gb/s数据速率的TP1001集成接收器芯片已经通过严格的功能和可靠性测试。据我们所知，这是世界上{dy}款成功运用量产CMOS技术来实现单片集成的光接收器。这一创新的集成芯片运用了美国麻省理工学院在硅基光电领域{zxj}的研发成果。麻省理工学院在此领域已经投入了多年的{lx1}技术研发，在世界范围内享有盛誉。我们期望，运用同一研发技术和制造程序，SiFotonics会在很短时间内发布10Gb/s的集成芯片。 硅基光电技术领域xx, 美国麻省理工学院材料科学与工程Lionel C. Kimerling教授 SiFotonics市场和销售副总裁Jack Yuan先生展望道，“TP1001为业界掀开了全新的一页。由于我们可以采用同一CMOS制程把其他功能的专用芯片同TP1001集成，这一产品不但适用于电信传送，同样适合于数据通信领域；更值得指出的是，TP1001芯片具有2.5Gb/s速率，能够以低成本把光传送数据交换效能引入到对成本非常敏感的应用领域，诸如计算机互连和消费电子等领域。” TP1001是一个2.5Gb/s光接收器单片集成芯片，通过在硅衬底上生长锗的技术将光电探测器同CMOS TIA集成为一体。该款芯片将使用在光纤输入的前端，它的功能是将接收的光信号转换成为电信号，能够覆盖4个关键波长：650nm，850nm，1310nm，和1550nm。使用标准的CMOS 3.3V电源接口，具有-25dBm的灵敏度和0.9A/W的响应度。其中TIA可提供300 kohm的典型差分增益，整个芯片功耗不超过132mW。该款芯片目前已经有样品可供试用，将于2010年6月进入量产阶段。 前瞻信息 关于SiFotonics™Technologies Co., Ltd. SiFotonics™设计和制造新型硅基光电集成电路和分立器件，诸如2.5Gb/s~10Gb/s 锗/硅PIN型光电探测器，雪崩光电二极管，40Gb/s 硅波导光电调制器/光电探测器，2.5Gb/s~10Gb/s 跨阻放大器，和用于光收发模块的集成光电产品等。 SiFotonics™将在2010年3月23日到25日参加在美国加州圣地亚哥举行的光纤通讯研讨会及展览会（OFC/NFOEC）。业界同僚若有意在OFC/NFOEC期间会见SiFotonics，请联系郑大卫博士（+1 626-710-2341）或潘栋博士 （+1 978-289-8007）. 国内同行如需更多产品信息，请联系Jack Yuan先生（）或访问SiFotonicsTM 公司网站 |
