IRF830 ( 场效应管) 零售报价- IR场效应管型号IRF830报价-亿芯工程样片 ...
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Product:General Purpose MOSFETs
Configuration:Single
Transistor Polarity:N-Channel
Package / Case:TO-220AB
Drain-Source Breakdown Voltage:500 V
Continuous Drain Current:4.5 A
Power Dissipation:74000 mW
Resistance Drain-Source RDS (on):1.5 Ohm @ 10 V
Typical Fall Time:16 ns
Typical Rise Time:16 ns
Typical Turn-Off Delay Time:42 ns
Packaging:Tube
Gate-Source Breakdown Voltage:20 V
Maximum Operating Temperature:150 C
Minimum Operating Temperature:- 55 C

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