一.半导体二极管的分类

　　半导体二极管按其用途可分为：普通二极管和特殊二极管。普通二极管包括整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、快速二极管等；特殊二极管包括变容二极管、发光二极管、隧道二极管、触发二极管等。

二.半导体二极管的主要参数

1．反向饱和漏电流I_R

　　指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料和温度有关。在常温下，硅管的I_R为纳安（10^-9A）级，锗管的I_R为微安（10^-6A）级。

2．额定整流电流I_F

　　指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。目前大功率整流二极管的I_F值可达1000A。

3. {zd0}平均整流电流I_O

　　在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的{zd0}值。这是设计时非常重要的值。

4. {zd0}浪涌电流I_FSM

　　允许流过的过量的正向电流。它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。

5．{zd0}反向峰值电压V_RM

　　即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。 因给整流器加的是交流电压，它的{zd0}值是规定的重要因子。{zd0}反向峰值电压V_RM指为避免击穿所能加的{zd0}反向电压。目前{zg}的V_RM值可达几千伏。

6. {zd0}直流反向电压V_R

　　上述{zd0}反向峰值电压是反复加上的峰值电压，V_R是连续加直流电压时的值。用于直流电路，{zd0}直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的.

7．{zg}工作频率f_M

　　由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。点接触式二极管的f_M值较高，在100MHz以上；整流二极管的f_M较低，一般不高于几千赫。

8．反向恢复时间T_rr

　　当工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。实际上，一般要延迟一点点时间。决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。虽然它直接影响二极管的开关速度，但不一定说这个值小就好。也即当二极管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近I_R时所需要的时间。大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要。

9. {zd0}功率P

　　二极管中有电流流过，就会吸热，而使自身温度升高。{zd0}功率P为功率的{zd0}值。具体讲就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。这个极限参数对稳压二极管，可变电阻二极管显得特别重要。

三.几种常用二极管的特点

1．整流二极管

　　整流二极管结构主要是平面接触型，其特点是允许通过的电流比较大，反向击穿电压比较高，但PN结电容比较大，一般广泛应用于处理频率不高的电路中。例如整流电路、嵌位电路、保护电路等。整流二极管在使用中主要考虑的问题是{zd0}整流电流和{zg}反向工作电压应大于实际工作中的值。

2．快速二极管

　　快速二极管的工作原理与普通二极管是相同的，但由于普通二极管工作在开关状态下的反向恢复时间较长，约4～5ms，不能适应高频开关电路的要求。快速二极管主要应用于高频整流电路、高频开关电源、高频阻容吸收电路、逆变电路等，其反向恢复时间可达10ns。快速二极管主要包括快恢复二极管和肖特基二极管。

　　快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管在制造上采用掺金、单纯的扩散等工艺，可获得较高的开关速度，同时也能得到较高的耐压。快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中作整流元件，高频电路中的限幅、嵌位等。

　　肖特基（Schottky）二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），是由金属与半导体接触形成的势垒层为基础制成的二极管，其主要特点是正向导通压降小（约0.45V），反向恢复时间短和开关损耗小，是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO₂）电场xx材料、N^-外延层（砷材料）、N型硅基片、N⁺阴极层及阴极金属等构成，如图所示。在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。

　　肖特基二极管存在的问题是耐压比较低，反向漏电流比较大。目前应用在功率变换电路中的肖特基二极管的大体水平是耐压在150V以下，平均电流在100A以下，反向恢复时间在10～40ns。肖特基二极管应用在高频低压电路中，是比较理想的。

3．稳压二极管

　　稳压二极管是利用PN结反向击穿特性所表现出的稳压性能制成的器件。稳压二极管也称齐纳二极管或反向击穿二极管，在电路中起稳定电压作用。它是利用二极管被反向击穿后，在一定反向电流范围内反向电压不随反向电流变化这一特点进行稳压的。稳压二极管通常由硅半导体材料采用合金法或扩散法制成。它既具有普通二极管的单向导电特性，又可工作于反向击穿状态。在反向电压较低时，稳压二极管截止；当反向电压达到一定数值时，反向电流突然增大，稳压二极管进入击穿区，此时即使反向电流在很大范围内变化时，稳压二极管两端的反向电压也能保持基本不变。但若反向电流增大到一定数值后，稳压二极管则会被彻底击穿而损坏。

稳压二极管根据其封装形式、电流容量、内部结构的不同可以分为多种类型。稳压二极管根据其封装形式可分为金属外壳封装稳压二极管、玻璃封装（简称玻封）稳压二极管和塑料封装（简称塑封）稳压二极管。塑封稳压二极管又分为有引线型和表面封装两种类型。

稳压管的主要参数有：①稳压值V_Z 。指当流过稳压管的电流为某一规定值时，稳压管两端的压降。②电压温度系数 。稳压管的稳压值V_Z的温度系数在V_Z低于4V时为负温度系数值；当V_Z的值大于7V时，其温度系数为正值；而V_Z的值在6V左右时，其温度系数近似为零。目前低温度系数的稳压管是由两只稳压管反向串联而成，利用两只稳压管处于正反向工作状态时具有正、负不同的温度系数，可得到很好的温度补偿。③动态电阻r_Z。表示稳压管稳压性能的优劣，一般工作电流越大，r_Z越小。④允许功耗P_Z。由稳压管允许达到的温升决定，小功率稳压管的P_Z值为100～1000mW,大功率的可达50W。⑤稳定电流I_Z。测试稳压管参数时所加的电流。实际流过稳压管的电流低于I_Z时仍能稳压，但r_Z较大。

　　稳压管的最主要的用途是稳定电压。在要求精度不高、电流变化范围不大的情况下，可选与需要的稳压值最为接近的稳压管直接同负载并联。在稳压、稳流电源系统中一般作基准电源，也有在集成运放中作为直流电平平移。其存在的缺点是噪声系数较高，稳定性较差。