《日经新闻》近日报道称东芝计划今年投入150亿日元（1.6亿美元）建设一条测试生产线来生产25纳米以下尺寸闪存芯片。
东芝是全球第二大 NAND闪存芯片制造商，排名仅次于三星电子。《日经新闻》称东芝已经向ASML订购了芯片制造设备来生产电路尺寸在25纳米以下的微芯片。更小的电路尺 寸可以让半导体公司在更小的硅晶圆上封装更大的存储容量，从而降低单位生产成本。
东芝目前生产的是32和43纳米制程的NAND闪存芯片。
和个人电脑上使用的动态随机存取记忆体（DRAM）芯片不同，NAND闪存芯片在关闭电源后也可以保留数据，因此是手机等便携式电子产品理想的存储设备。
《日经新闻》表示，东芝将很快开始生产20纳米制程以上的NAND芯片，而20纳米制程以下的芯片预计至早将于2012年投产。
东芝发言人表示该公司计划在2010年下半年生产20至29纳米之间制程的NAND闪存芯片，不过东芝尚未决定新芯片的制程是在25纳米以上还是以下。
该发言人表示东芝正在同荷兰的 ASML进行谈判。东芝可能采购{zx1}型的芯片制造设备。该芯片制造设备采用极紫外（EUV）光刻技术在硅晶圆上刻入小尺寸电路。
