许多新兴应用对具备更高转换效率的大功率MOSFET提出了迫切需求。目前，硅功率器件主要通过封装和改善结构来优化性能提升效率，不过随着工艺技术的发展这个改善的空间已经不大了，因此对新型半导体材料的研发一直是硅功率器件半导体厂商追求突破的重要环节。近日，国际公司(IR)推出了{sg}商用氮化镓 (GaN) 功率器件产品系列，预示着一个高频率、高密度、高效电源转换解决方案的全新时代。崭新的iP2010和iP2011系列器件是为多相和负载点 (POL) 应用设计的，包括服务器、路由器、交换机以及通用POL DC-DC转换器。

“iP2010和iP2011系列器件将PowerRtune驱动IC和氮化镓功率器件集成在一起，采用了无引线封装，可带来比{zxj}的硅集成功率级器件更高的效率和超出双倍的开关频率。与业内{zh0}的功率器件相比，iP2010和iP2011系列器件的峰值效率在600KHz工作频率时大于93％；在1.2MHz工作频率时大于91％。” 国际整流器公司环球市场及企业传传信副总裁Graham Robertson在新品发布会上指出。

iP2010的输入电压范围为7V至13.2V，输出电压范围则为0.6V至5.5V，输出电流高达30A。这个器件{zg}运行频率为3MHz。在5MHz运行时，与iP2010引脚兼容的iP2011备有相同的输入和输出电压范围，但后者经过优化，从而使{zg}输出电流高达20A。通过以通用占位面积提供多种电流额定值器件，IR提供的灵活性能够满足不同客户对电流水平、性能和成本的要求。

iP201x系列高达5MHz的开关能力有助于设计师显著减少输出电容和电感值及尺寸，有助实现空间紧张的设计。因此，iP2010和iP2011大幅度改善了功率密度，与分立方案相比，其系统尺寸缩小40％。与业界{zh0}的MOS器件相比，其系统方案电路板空间尺寸缩小35％以上，从而降低系统成本。

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iP201x系列改善了功率密度并减少电路尺寸。

IR的GaNpowIR是一种革命性的氮化镓(GaN)功率器件技术平台，与{zxj}的硅技术平台相比，能够改善客户主要特定应用的性能指数(FOM)高达10倍，可以显著提高性能并节省能源消耗，目标市场包括计算和通信、汽车和家电等的终端应用，可显著地提升这些应用系统的性能并和减少能耗。这款开创先河的氮化镓功率器件技术平台是IR经过15年的时间，基于其专有硅上氮化镓外延技术研究开发的成果。高生产量的150mm硅上氮化镓外延以及相关的器件制造工艺，xx符合IR具备成本效益的硅制造设施，可为客户提供{sjj}的商业可行的氮化镓功率器件制造平台。

Graham还通过下图对IR GaN器件与硅和SiC等材料功率器件的Ron(导通电阻)的比较。在特定的击穿电压上，GaN的高电子迁移率和更高的带隙特性使其具有比基于硅或SiC等材料小得多的导通电阻Ron，而且相对于SiC材料，GaN功率器件成本更低。

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GaNpowIRxxxx功率器件的优值系数。