一、概述 集成是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，并按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路。它在电路中用字母“IC”表示。 集成电路具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。它不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用，同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。用集成电路来装配电子设备，其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可大大提高。 二、集成电路的分类 （一）按功能结构分类 集成电路按其功能、结构的不同，可以分为、和数/模混合集成电路三大类。 模拟集成电路又称线性电路,用来产生、放大和处理各种（指幅度随时间边疆变化的信号。例如半导体的、录放机的信号等），其输入信号和输出信号成比例关系。而数字集成电路用来产生、放大和处理各种数字信号（指在时间上和幅度上离散取值的信号。例如、重放的音频信号和）。 （二）按制作工艺分类 集成电路按制作工艺可分为半导体集成电路和。 膜集成电路又分类厚膜集成电路和薄膜集成电路。 （三）按集成度高低分类 集成电路按集成度高低的不同可分为小规模集成电路、中规模集成电路、、超大规模集成电路、特大规模集成电路和巨大规模集成电路。 （四）按导电类型不同分类 集成电路按导电类型可分为和单极型集成电路,他们都是数字集成电路. 双极型集成电路的制作工艺复杂，功耗较大，代表集成电路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等类型。单极型集成电路的制作工艺简单，功耗也较低，易于制成大规模集成电路，代表集成电路有、NMOS、PMOS等类型。 （五）按用途分类 集成电路按用途可分为用集成电路、用集成电路、用集成电路、用集成电路、（微机）用集成电路、用集成电路、通信用集成电路、用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、xxx用集成电路及各种专用集成电路。 （六）按应用领域分 集成电路按应用领域可分为标准通用集成电路和专用集成电路。 (七)按外形分 集成电路按外形可分为圆形(金属外壳晶体管封装型,一般适合用于大功率)、扁平型(稳定性好,体积小)和双列直插型. 三、集成电路发展简史 1.世界集成电路的发展历史 1947年：贝尔实验室肖克莱等人发明了晶体管，这是微电子技术发展中{dy}个里程碑； 1950年：结型晶体管诞生； 1950年： R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺； 1951年：场效应晶体管发明； 1956年：C S Fuller发明了扩散工艺； 1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史； 1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺； 1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管； 1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺； 1964年：Intel摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍； 1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出{dy}块门阵列（50门）； 1967年：应用材料公司（Applied Materials）成立，现已成为全球{zd0}的半导体设备制造公司； 1971年：Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），标志着大规模集成电路出现； 1971年：全球{dy}个微处理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工艺，这是一个里程碑式的发明； 1974年：RCA公司推出{dy}个CMOS微处理器1802； 1976年：16kb DRAM和4kb SRAM问世； 1978年：64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临； 1979年：Intel推出5MHz 8088微处理器，之后，IBM基于8088推出全球{dy}台PC； 1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世； 1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM； 1985年：80386微处理器问世，20MHz； 1988年：16M DRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路（ULSI）阶段； 1989年：1Mb DRAM进入市场； 1989年：486微处理器推出，25MHz，1μm工艺，后来50MHz芯片采用 0.8μm工艺； 1992年：64M位随机存储器问世； 1993年：66MHz奔腾处理器推出,采用0.6μｍ工艺； 1995年:Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μｍ工艺； 1997年：300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μｍ工艺； 1999年：奔腾Ⅲ问世，450MHz，采用0.25μｍ工艺，后采用0.18μm工艺； 2000年: 1Gb RAM投放市场； 2000年：奔腾4问世，1.5GHz，采用0.18μｍ工艺； 2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μｍ工艺。 2.我国集成电路的发展历史 我国集成电路产业诞生于六十年代，共经历了三个发展阶段： 1965年-1978年：以计算机和军工配套为目标，以开发逻辑电路为主要产品，初步建立集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件； 1978年-1990年：主要引进美国二手设备，改善集成电路装备水平，在“治散治乱”的同时，以消费类整机作为配套重点，较好地解决了彩电集成电路的国产化； 1990年-2000年：以908工程、909工程为重点，以CAD为突破口，抓好科技攻关和北方科研开发基地的建设，为信息产业服务，集成电路行业取得了新的发展。 四、集成电路产业的发展 近几年，中国集成电路产业取得了飞速发展。中国集成电路产业已经成为全球半导体产业关注的焦点，即使在全球半导体产业陷入有史以来程度最严重的低迷阶段时，中国集成电路市场仍保持了两位数的年增长率，凭借巨大的市场需求、较低的生产成本、丰富的人力资源，以及经济的稳定发展和宽松的政策环境等众多优势条件，以京津唐地区、长江三角洲地区和珠江三角洲地区为代表的产业基地迅速发展壮大，制造业、设计业和封装业等集成电路产业各环节逐步完善。 2006年中国集成电路市场销售额为4862.5亿元，同比增长27.8%。其中IC设计业年销售额为186.2亿元，比2005年增长49.8%。 2007年中国集成电路产业规模达到1251.3亿元，同比增长24.3%，集成电路市场销售额为5623.7亿元，同比增长18.6%。而计算机类、消费类、网络通信类三大领域占中国集成电路市场的88.1%。 目前，中国集成电路产业已经形成了IC设计、制造、封装测试三业及支撑配套业共同发展的较为完善的产业链格局，随着IC设计和芯片制造行业的迅猛发展，国内集成电路价值链格局继续改变，其总体趋势是设计业和芯片制造业所占比例迅速上升。 |
