根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。

.它属于电压控制型半导体器件.

　　特点:

　　具有输入电阻高（100MΩ～1 000MΩ）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点,现已成为和功率晶体管的强大竞争者.

　　作用:

　　场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器.

　　场效应管可以用作电子开关.

　　场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作.

）

　　IDS---漏源电流

　　IDSM---{zd0}漏源电流

　　IDSS---栅-源短路时，漏极电流

　　IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）

　　IG---栅极电流（直流）

　　IGF---正向栅电流

　　IGR---反向栅电流

　　IGDO---源极开路时，截止栅电流

　　IGSO---漏极开路时，截止栅电流

　　IGM---栅极脉冲电流

　　IGP---栅极峰值电流

　　IF---二极管正向电流

　　IGSS---漏极短路时截止栅电流

　　IDSS1---对管{dy}管漏源饱和电流

　　IDSS2---对管第二管漏源饱和电流

　　Iu---衬底电流

　　Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）

　　gfs---正向跨导

　　Gp---功率增益

　　Gps---共源极中和高频功率增益

　　GpG---共栅极中和高频功率增益

　　GPD---共漏极中和高频功率增益

　　ggd---栅漏电导

　　gds---漏源电导

　　K---失调电压温度系数

　　Ku---传输系数

　　L---负载（外电路参数）

　　LD---漏极电感

　　Ls---源极电感

　　rDS---漏源电阻

　　rDS(on)---漏源通态电阻

　　rDS(of)---漏源断态电阻

　　rGD---栅漏电阻

　　rGS---栅源电阻

　　Rg---栅极外接电阻（外电路参数）

　　RL---负载电阻（外电路参数）

　　R(th)jc---结壳热阻

　　R(th)ja---结环热阻

　　PD---漏极耗散功率

　　PDM---漏极{zd0}允许耗散功率

　　PIN--输入功率

　　POUT---输出功率

　　PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）

　　to(on)---开通延迟时间

　　td(off)---关断延迟时间

　　ti---上升时间

　　ton---开通时间

　　toff---关断时间

　　tf---下降时间

　　trr---反向恢复时间

　　Tj---结温

　　Tjm---{zd0}允许结温

　　Ta---环境温度

　　Tc---管壳温度

　　Tstg---贮成温度

　　VDS---漏源电压（直流）

　　VGS---栅源电压（直流）

　　VGSF--正向栅源电压（直流）

　　VGSR---反向栅源电压（直流）

　　VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）

　　VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）

　　Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）

　　VGS(th)---开启电压或阀电压

　　V（BR）DSS---漏源击穿电压

　　V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压

　　VDS(on)---漏源通态电压

　　VDS(sat)---漏源饱和电压

　　VGD---栅漏电压（直流）

　　Vsu---源衬底电压（直流）

　　VDu---漏衬底电压（直流）

　　VGu---栅衬底电压（直流）

　　Zo---驱动源内阻

　　η---漏极效率（射频功率管）

　　Vn---噪声电压

　　aID---漏极电流温度系数

　　ards---漏源电阻温度系数

,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极.用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极.

的动态特性曲线非常相似，当栅极电压VGS=0时的漏源电流。用IDSS表示。VGS变负时，ID逐渐减小。ID接近于零的栅极电压称为夹断电压，用VP表示，在0≥VGS≥VP的区段内，ID与VGS的关系可近似表示为：

　　ID=IDSS（1-|VGS/VP|）

　　其跨导gm为：gm=（△ID/△VGS）|VDS=常微（微欧）|

　　式中：△ID------漏极电流增量（微安）

　　------△VGS-----栅源电压增量（伏）

　　图2、结型场效应管特性曲线

　　2）漏极特性（输出特性）

　　图2(b)给出了场效应管的漏极特性曲线，它和晶体三极管的输出特性曲线 很相似。

　　①可变电阻区（图中I区）在I区里VDS比较小，沟通电阻随栅压VGS而改变，故称为可变电阻区。当栅压一定时，沟通电阻为定值，ID随VDS近似线性增大，当VGS＜VP时，漏源极间电阻很大（关断）。IP=0；当VGS=0时，漏源极间电阻很小（导通），ID=IDSS。这一特性使场效应管具有开关作用。

　　②恒流区（区中II区）当漏极电压VDS继续增大到VDS＞|VP|时，漏极电流，IP达到了饱和值后基本保持不变，这一区称为恒流区或饱和区，在这里，对于不同的VGS漏极特性曲线近似平行线，即ID与VGS成线性关系，故又称线性放大区。

　　③击穿区（图中Ⅲ区）如果VDS继续增加，以至超过了PN结所能承受的电压而被击穿，漏极电流ID突然增大，若不加限制措施，管子就会烧坏。

　　2、绝缘栅场效应管

　　它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属---氧化物---半导体场效应管，简称MOS场效应管。

　　（1）结构原理

　　它的结构、电极及符号见图3所示，以一块P型薄硅片作为衬底，在它上面扩散两个高杂质的N型区，作为源极S和漏极D。在硅片表覆盖一层绝缘物，然后再用金属铝引出一个电极G（栅极）由于栅极与其它电极绝缘，所以称为绝缘栅场面效应管。

　　图3、N沟道（耗尽型）绝缘栅场效应管结构及符号

　　在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。

　　场效应管的式作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型，当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。

　　（2）特性曲线

　　1）转移特性（栅压----漏流特性）

　　图4（a）给出了N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的转移行性曲线，图中Vp为夹断电压（栅源截止电压）；IDSS为饱和漏电流。

　　图4（b）给出了N沟道增强型绝缘栅场效管的转移特性曲线，图中Vr为开启电压，当栅极电压超过VT时，漏极电流才开始显著增加。

　　2）漏极特性（输出特性）

　　图5（a）给出了N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的输出特性曲线。

　　图5(b)为N沟道增强型绝缘栅场效应管的输出特性曲线 。

　　图4、N沟道MOS场效管的转移特性曲线

　　图5、N沟道MOS场效应管的输出特性曲线

　　此外还有N衬底P沟道（见图1）的场效应管，亦分为耗尽型号增强型两种，

　　各种场效应器件的分类，电压符号和主要伏安特性（转移特性、输出特性） 二、场效应管的主要参数

　　1、夹断电压VP

　　当VDS为某一固定数值，使IDS等于某一微小电流时，栅极上所加的偏压VGS就是夹断电压VP。

　　2、饱和漏电流IDSS

　　在源、栅极短路条件下，漏源间所加的电压大于VP时的漏极电流称为IDSS。

　　3、击穿电压BVDS

　　表示漏、源极间所能承受的{zd0}电压，即漏极饱和电流开始上升进入击穿区时对应的VDS。

　　4、直流输入电阻RGS

　　在一定的栅源电压下，栅、源之间的直流电阻，这一特性有以流过栅极的电流来表示，结型场效应管的RGS可达1000000000欧而绝缘栅场效应管的RGS可超过10000000000000欧。

　　5、低频跨导gm

　　漏极电流的微变量与引起这个变化的栅源电压微数变量之比，称为跨导，即

　　gm= △ID/△VGS

　　它是衡量场效应管栅源电压对漏极电流控制能力的一个参数，也是衡量放大作用的重要参数，此参灵敏常以栅源电压变化1伏时，漏极相应变化多少微安（μA/V）或毫安（mA/V）来表示

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　　金属氧化物半导体的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅 g 电压vg 增大时， p 型半导体表面的多数载流子枣空穴减少、耗尽，而电子积累到反型。当表面达到反型时，电子积累层将在 n+ 源区 s 和 n+ 漏区 d 形成导电沟道。当 vds ≠ 0 时，源漏电极有较大的电流ids流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压vt。当 vgs>vt并取不同数值时，反型层的导电能力将改变，在的vds下也将产生不同的ids, 实现栅源电压vgs对源漏电流ids的控制。

　　场效应管（fet）是电场效应控制电流大小的单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流极小，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点，在大规模和超大规模集成电路中被应用。

　　fet和双极型三极管相类似，电极对应关系是b®g、e®s、c®d；由fet组成的放大电路也和三极管放大电路相类似，三极管放大电路基极回路一个偏置电流(偏流)，而fet放大电路的场效应管栅极没有电流，fet放大电路的栅极回路一个合适的偏置电压(偏压)。

　　fet组成的放大电路和三极管放大电路的主要区别：场效应管是电压控制型器件，靠栅源的电压变化来控制漏极电流的变化，放大作用以跨导来；三极管是电流控制型器件，靠基极电流的变化来控制集电极电流的变化，放大作用由电流放大倍数来。

　　场效应管放大电路分为共源、共漏、共栅极三种组态。在分析三种组态时，可与双极型三极管的共射、共集、共基对照，体会二者间的相似与区别之处。