电子工程师必备基础知识手册(二):电容_笔记_百度空间

电容是电子设备中大量使用的电子元件之一,广泛应用于隔直,耦合, 旁路,滤波, 调谐回路, 能量转换,等方面。用C 表示电容,电容单位有法拉(F)、微法拉(uF)、皮法拉(pF),1F=10^6uF=10^12pF。

一、 电容器的型号命名方法

国产电容器的型号一般由四部分组成(不适用于压敏、可变、真空电容器)。依次分别

代表名称、材料、分类和序号。

{dy}部分:名称,用字母表示,电容器用C。

第二部分:材料,用字母表示。

第三部分:分类,一般用数字表示,个别用字母表示。

第四部分:序号,用数字表示。

用字母表示产品的材料:A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E- 其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介

二、电容器的分类

1、按照结构分三大类:固定电容器、可变电容器和微调电容器。

2、按电解质 分类有:有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介

质电容器等。

3、按用途分有:高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型

电容器。

4、频旁路:陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉电容

器。

5、低频旁路:纸介电容器、陶瓷电容器、、涤纶电容器。

6、滤波:铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、液体钽电容器。

7、调谐:陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器。

8、高频耦合:陶瓷电容器、云母电容器、聚苯乙烯电容器。

9、低耦合:纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器、固体钽电容

器。

10、小型电容:金属化纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、聚苯乙烯电 容器、固体钽电容器、玻璃釉电容器、金属化涤纶电容器、聚丙烯电容器、云母电容器。

三、常用电容器

1、 铝电解电容器

用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成,薄的化氧化膜作介质的电容器。因为氧化膜有单向导电性质,所以电解电容器具有极性.容量大,能耐受大的脉动电流,容量误差大,泄漏电流大;普通的不适于在高频和低温下应用,不宜使用在25kHz 以上频率低频旁路、信号耦合、电源滤波。

电容量:0.47--10000u

额定电压:6.3--450V

主要特点:体积小,容量大,损耗大,漏电大

应用:电源滤波,低频耦合,去耦,旁路等

2、 钽电解电容器(CA)铌电解电容(CN)

用烧结的钽块作正极,电解质使用固体二氧化锰温度特性、频率特性和可靠性均优于普

通电解电容器,特别是漏电流极小,贮存性良好,寿命长,容量误差小,而且体积小,单位体积下能得到{zd0}的电容电压乘积对脉动电流的耐受能力差,若损坏易呈短路状态超小型高可靠机件中。

电容量:0.1--1000u

额定电压:6.3--125V

主要特点:损耗、漏电小于铝电解电容

应用:在要求高的电路中代替铝电解电容

3、 薄膜电容器

结构与纸质电容器相似,但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质频率特性好,介电损

耗小不能做成大的容量,耐热能力差滤波器、积分、振荡、定时电路。

a 聚酯(涤纶)电容(CL)

电容量:40p--4u

额定电压:63--630V

主要特点:小体积,大容量,耐热耐湿,稳定性差

应用:对稳定性和损耗要求不高的低频电路

b 聚苯乙烯电容(CB)

电容量:10p--1u

额定电压:100V--30KV

主要特点:稳定,低损耗,体积较大

应用:对稳定性和损耗要求较高的电路

c 聚丙烯电容(CBB)

电容量:1000p--10u

额定电压:63--2000V

主要特点:性能与聚苯相似但体积小,稳定性略差

应用:代替大部分聚苯或云母电容,用于要求较高的电路

4、 瓷介电容器

穿心式或支柱式结构瓷介电容器,它的一个电极就是安装螺丝。引线电感极小,频率特

性好,介电损耗小,有温度补偿作用不能做成大的容量,受振动会引起容量变化特别适于高频旁路。

a 高频瓷介电容(CC)

电容量:1--6800p

额定电压:63--500V

主要特点:高频损耗小,稳定性好

应用:高频电路

b 低频瓷介电容(CT)

电容量:10p--4.7u

额定电压:50V--100V

主要特点:体积小,价廉,损耗大,稳定性差

应用:要求不高的低频电路

5、 独石电容器

(多层陶瓷电容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料,叠合后一次绕结成一块不可分割的整体,外面再用树脂包封而成小体积、大容量、高可靠和耐高温的新型电容器,高介电常数的低频独石电容器也具有稳定的性能,体积极小,Q 值高容量误差较大噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路。

容量范围:0.5PF--1UF

耐压:二倍额定电压。

电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定,耐高温耐湿性好等。

应用范围:广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。

6、 纸质电容器

一般是用两条铝箔作为电极,中间以厚度为0.008~0.012mm 的电容器纸隔开重叠卷绕而成。制造工艺简单,价格便宜,能得到较大的电容量。

一般在低频电路内,通常不能在高于3~4MHz 的频率上运用。油浸电容器的耐压比普通纸质。电容器高,稳定性也好,适用于高压电路。

7、 微调电容器

电容量可在某一小范围内调整,并可在调整后固定于某个电容值。 瓷介微调电容器的Q 值高,体积也小,通常可分为圆管式及圆片式两种。 云母和聚苯乙烯介质的通常都采用弹簧式东,结构简单,但稳定性较差。 线绕瓷介微调电容器是拆铜丝〈外电极〉来变动电容量的,故容量只能变小,不适合在需反复调试的场合使用。

a 空气介质可变电容器

可变电容量:100--1500p

主要特点:损耗小,效率高;可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等

应用:电子仪器,广播电视设备等

b 薄膜介质可变电容器

可变电容量:15--550p

主要特点:体积小,重量轻;损耗比空气介质的大

应用:通讯,广播接收机等

c 薄膜介质微调电容器

可变电容量:1--29p

主要特点:损耗较大,体积小

应用:收录机,电子仪器等电路作电路补偿

d 陶瓷介质微调电容器

可变电容量:0.3--22p

主要特点:损耗较小,体积较小

应用:精密调谐的高频振荡回路

8、 陶瓷电容器

用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。 具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。高频瓷介电容器适用于高频电路。

9、 玻璃釉电容器(CI)

由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成,介质再以银层电极经烧结而成"独石"结构性能可与云母电容器媲美,能耐受各种气候环境,一般可在200℃或更高温度下工作,额定工作电压可达500V,损耗tgδ0.0005~0.008

电容量:10p--0.1u

额定电压:63--400V

主要特点:稳定性较好,损耗小,耐高温(200 度)

应用:脉冲、耦合、旁路等电路

四、电容器主要特性参数

1、 标称电容量和允许偏差

标称电容量是标志在电容器上的电容量。

电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差,在允许的偏差范围称精度。

精度等级与允许误差对应关系:00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、 Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%)

一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级,电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级,根据用途选取。

2、额定电压

在{zd1}环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的{zg}直流电压有效值,一般直接标注在电容器外壳上,如果工作电压超过电容器的耐压,电容器击穿,造成不可修复的{yj}损坏。

3、绝缘电阻

直流电压加在电容上,并产生漏电电流,两者之比称为绝缘电阻。

当电容较小时,主要取决于电容的表面状态,容量〉0.1uf 时,主要取决于介质的性能,绝缘电阻越大越好。

电容的时间常数:为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数,他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。

4、损耗

电容在电场作用下,在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值,电容的损耗主要由介质损耗,电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。

在直流电场的作用下,电容器的损耗以漏导损耗的形式存在,一般较小,在交变电场的作用下,电容的损耗不仅与漏导有关,而且与周期性的极化建立过程有关。

5、频率特性

随着频率的上升,一般电容器的电容量呈现下降的规律。

五、电容器容量标示

1、 直标法

用数字和单位符号直接标出。如01uF 表示0.01 微法,有些电容用“R”表

示小数点,如R56 表示0.56 微法。

2、 文字符号法

用数字和文字符号有规律的组合来表示容量。如p10 表示0.1pF,1p0 表示

1pF,6P8 表示6.8pF, 2u2 表示2.2uF

3、 色标法

用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相同。

电容器偏差标志符号:+{bfb}-0--H、+{bfb}-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、

+50%-20%--S、+80%-20%--Z。



此文章源自《电子工程专辑》网站:



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