Schottky Barrier Diode，肖特基势垒二极管SBD,简称肖特基二极管是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 一、肖特基二极管原理 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成 用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极（阻档层）金属材料是钼。二氧化硅（SiO2）用来xx边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高{bfb}倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒，当加上正偏压E时，金属A和N型基片B分别接电源的正、负极，此时势垒宽度Wo变窄。加负偏压-E时，势垒宽度就增加。 综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。 肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率。
二、肖特基二极管的结构 肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场xx材料、N-外延层（砷材料）、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成，如图4-44所示。在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。 肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。 采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式，如图4-45所示。
肖特基对管又有共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出方式，见图4-46。 采用表面封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式。 三、肖特基二极管的检测 肖特基（Schottky）二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。 1．性能比较 肖特基二极管现超快恢复二极管、快恢复二极管、硅高频整流二极管、硅高速开关二极管的性能比较。由表可见，硅高速开关二极管的trr虽极低，但平均整流电流很小，不能作大电流整流用。 2．检测方法 下面通过一个实例来介绍检测肖特基二极管的方法。检测内容包括：①识别电极；②检查管子的单向导电性；③测正向导压降VF；④测量反向击穿电压VBR。 被测管为B82-004型肖特基管，共有三个管脚，外形如图4所示，将管脚按照从左至右顺序编上序号①、②、③。选择500型万用表的R×1档进行测量。 测试结论： {dy}，根据①�②、③�④间均可测出正向电阻，判定被测管为共阴对管，①、③脚为两个阳极，②脚为公共阴极。 第二，因①�②、③�②之间的正向电阻只几欧姆，而反向电阻为无穷大，故具有单向导电性。 第三，内部两只肖特基二极管的正向导通压降分别为0.315V、0.33V，均低于手册中给定的{zd0}允许值VFM(0.55V)。 另外使用ZC 25-3型兆欧表和500型万用表的250VDC档测出，内部两管的反向击穿电压VBR依次为140V、135V。查手册，B82-004的{zg}反向工作电压（即反向峰值电压）VBR=40V。表明留有较高的安全系数.
半导体器件的种类： 一、分立器件 1、 二极管 A、一般整流用 B、高速整流用： ①FRD（Fast Recovery Diode:高速恢复二极管） ②HED（Figh Efficiency Diode:高速高效整流二极管） ③SBD（Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管） C、定压二极管（齐纳二极管） D、高频二极管 ①变容二极管 ②PIN二极管 ③穿透二极管 ④崩溃二极管/甘恩二极管/骤断变容二极管 2、 晶体管 ①双极晶体管 ②FET（Fidld Effect Transistor:场效应管） Ⅰ、接合型FET Ⅱ、MOSFET ③IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘栅双极晶体管) 3、 晶闸管 ①SCR(Sillicon Controllde Rectifier:硅控整流器)/三端双向可控硅 ②GTO（Gate Turn off Thyristor:栅极光闭晶闸管） ③LTT（Light Triggered Thyristor:光触发晶闸管）
二、光电半导体 1、LED（Light Emitting Diode:发光二极管） 2、激光半导体 3、受光器件 ①光电二极管（Photo Diode）/太阳能电池（Sola Cell） ②光电晶体管（Photo Transistor） ③CCD图像传感器（Charge Coupled Device:电荷耦合器） ④CMOS图像传感器（complementary Metal Oxide Semiconductor:互补型金属氧化膜半导体） 4、光耦(photo Relay) ①光继电器（photo Relay) ②光断路器（photo Interrupter） 5、光通讯用器件
三、逻辑IC 1、通用逻辑IC 2、微处理器（Micro Processor） ①CISC(Complex Instruction Set Computer:复杂命令集计算机) ②RISC(Reduced instruction SET Computer:缩小命令集计算机) 3、DSP(Digital Signal processor:数字信号处理器件) 4、AASIC（Application Specific integrated Circuit:特殊用途IC） ①栅陈列（Gate-Array Device） ②SC(Standard Cell:标准器件) ③FPLD(Field programmable Logic Device:现场可编程化逻辑装置) 5、MPR（Microcomputer peripheral:微型计算机外围LSI） 6、系统LSI（System LSI）
四、模拟IC（以及模拟数字混成IC） 1、电源用IC 2、运算放大器（OP具Amp） 3、AD、DA转换器（AD DA Converter） 4、显示器用驱动器IC(Display Driver IC)
五、存储器 1、DRAM(Dynamic Random Access Memory:动态随机存取存储器) 2、SRAM(Static Random Access Memory:静态随机存取储器) 3、快闪式存储器(Flash Memory) 4、掩模ROM(mask Memory) 5、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory:强介电质存储器) 6、MRAM(Magnetic Random Access Memory:磁性体存储器) |
