虽然已是各种智能卡芯片代工市场老大，但是上海华虹NEC电子有限公司（“华虹NEC”）绝不满足于人们将之看作一家智能卡芯片的厂商。华虹NEC自 2002年停止DRAM生产、转向专业代工算起，就确立了通过特色代工工艺吸引战略客户的发展道路，并在激烈竞争的代工市场领域建立起了独特的优势。“多年前，华虹NEC{dy}个采用8英寸生产线来制造MOSFET等分立器件时，被当时绝大多数业内人士指责杀鸡用牛刀，然而，事实证明华虹NEC这一步棋走对了。目前华虹NEC分立器件累计出货超过100万片晶圆，这种新型代工业务模式也被竞争对手所效仿。”华虹NEC市场副总裁高峰对本刊表示。除了嵌入式非挥发性存储器外，华虹NEC还在功率器件、模拟/电源管理IC、高压CMOS以及基于SiGe（锗硅）工艺的射频等特色工艺领域不断创新，并取得了不俗的业绩。展望2010年，华虹NEC的五大特色工艺正好匹配了目前最热门的一大部分产品与应用，并将为广大客户、特别是本土客户带来高xxx的产品与服务。
从智能卡到MCU再到触摸屏
从0.35微米工艺到0.13微米工艺，华虹NEC一直保持着嵌入式非挥发性存储器技术的{lx1}地位。目前华虹NEC正在开发的创新技术是1T（一个晶体管）快闪存储单元。“1T技术比现有技术可在更小的晶圆尺寸上实现更大容量的存储单元，特别对于768KB或以上容量的存储单元面积缩小更为显著，这正是 3G/4G手机终端的大容量SIM/JAVA卡所必需的。”高峰说道。
尽管如此，智能卡业务仅占华虹NEC不到30%收入比例，华虹NEC一方面加大其余特色工艺平台的技术创新与市场开拓，另一方面也大力将自己{lx1}的嵌入式非挥发性存储器技术向非智能卡产品领域拓展与延伸。
将嵌入式非挥发性存储器技术拓展到MCU领域就是华虹NEC正在做的一个工作。在MCU市场，华虹NEC特别注意扶持中小型的潜力客户。“为此，我们采用了两条腿走路的方式：一方面我们与国际IP厂商合作，以服务大的客户；另一方面我们与台湾及本土IP厂商合作，引入低价位的CPU核、同时配以良好的技术支持，这对中国IC设计公司非常重要。”目前几家本土优质MCU厂商已是华虹NEC的重要培养客户。
还有一个目前非常火的市场也是华虹NEC的嵌入式非挥发性存储器工艺可以延伸的领域，这就是触摸屏市场。“触摸屏产品可以用到我们的多个工艺，包括集成嵌入式非挥发性存储器和高压CMOS的特色工艺，这一创新技术我们已开发出来，今年就开放给用户使用。”高峰透露。在LCD驱动领域，华虹NEC是很多知名芯片厂商的代工伙伴，处于该领域的业界{lx1}地位。现在，利用这一优势工艺，结合嵌入式非挥发性存储器，华虹NEC希望能在触摸屏市场大展拳脚。
BCD工艺迎合节能环保热点
2010年最热的LED照明/背光、xx电源管理和汽车电子中都缺不了BCD（双极，CMOS和DMOS）工艺的器件，事实上，BCD基础器件已成这些热门应用的核心器件。而华虹NEC已开发和正在开发的BCD工艺技术的节点涵盖0.5μm、0.35μm、0.25μm与0.18μm，其中面向xx电源管理的“0.25/0.18umBCD”还是xxxx支持的重大科技专项项目之一。
“700VBCD是一种创新，基于该工艺制造的IC可直接工作在220V的市电下，而不用像以前那样通过多个器件来实现。这样就大大提高了效率，符合节能环保趋势。”高峰解释。他透露目前已有国内IC设计公司设计出700V的BCD器件，并正在与华虹NEC合作。而在LED照明和大尺寸LED液晶电视背光方面，华虹NEC已成功推出40V与60V的BCD工艺技术平台，客户包括国内与海外厂商。“BCD工艺技术的发展不像标准CMOS工艺那样遵循 Moore定律，而是向高压、高功率、高密度三个方向发展。”他解释。
在BCD和MOSFET的另一大应用——汽车电子市场，华虹NEC已获得了汽车电子符合性认证，正在与合作伙伴一起准备产品认证。
锗硅射频技术让无线产品更便宜
3G、WLAN/WIFI以及卫星机顶盒等都是2010年无线市场的大热，而这些终端产品中有一个占成本比例不小的器件——PA(功率放大器)。目前业界主流PA都采用砷化镓工艺，但是砷化镓工艺的代工厂数量少，代工价格也很贵，很多时候还会出现供应紧缺情况。而锗硅(SiGe)工艺比砷化镓的成本要低很多，如果能采用单管的锗硅代替后者，将为无线产业带来一次革命。华虹NEC正在作此项研究，有望在今年内取得突破。
“问题的关键是如何让锗硅工艺的性能进一步提升，而不增加太多成本。”高峰分析，“我们的策略是先在一些对性能要求不是非常苛刻的地方替代砷化镓。华虹 NEC目前正在开发0.18/0.13um锗硅工艺，将用于接收机的LNA(低噪声放大器)中，同时还会用于对讲机的PA中。”他同时透露，这个项目也是xxxx支持的项目之一，华虹NEC今后将继续开发xxx更高的锗硅射频工艺技术平台，用于更xx的产品中。
中国芯片厂商已开始在PA市场扮演重要角色，这个传统上由国际厂商主导的市场，正在RDA（锐迪科）等中国厂商的带领下向本土化供应商渗透。华虹NEC在锗硅项目上会不会再带火一家本土的IC公司呢，我们将拭目以待。
从智能卡到MCU再到触摸屏
从0.35微米工艺到0.13微米工艺，华虹NEC一直保持着嵌入式非挥发性存储器技术的{lx1}地位。目前华虹NEC正在开发的创新技术是1T（一个晶体管）快闪存储单元。“1T技术比现有技术可在更小的晶圆尺寸上实现更大容量的存储单元，特别对于768KB或以上容量的存储单元面积缩小更为显著，这正是 3G/4G手机终端的大容量SIM/JAVA卡所必需的。”高峰说道。
尽管如此，智能卡业务仅占华虹NEC不到30%收入比例，华虹NEC一方面加大其余特色工艺平台的技术创新与市场开拓，另一方面也大力将自己{lx1}的嵌入式非挥发性存储器技术向非智能卡产品领域拓展与延伸。
将嵌入式非挥发性存储器技术拓展到MCU领域就是华虹NEC正在做的一个工作。在MCU市场，华虹NEC特别注意扶持中小型的潜力客户。“为此，我们采用了两条腿走路的方式：一方面我们与国际IP厂商合作，以服务大的客户；另一方面我们与台湾及本土IP厂商合作，引入低价位的CPU核、同时配以良好的技术支持，这对中国IC设计公司非常重要。”目前几家本土优质MCU厂商已是华虹NEC的重要培养客户。
还有一个目前非常火的市场也是华虹NEC的嵌入式非挥发性存储器工艺可以延伸的领域，这就是触摸屏市场。“触摸屏产品可以用到我们的多个工艺，包括集成嵌入式非挥发性存储器和高压CMOS的特色工艺，这一创新技术我们已开发出来，今年就开放给用户使用。”高峰透露。在LCD驱动领域，华虹NEC是很多知名芯片厂商的代工伙伴，处于该领域的业界{lx1}地位。现在，利用这一优势工艺，结合嵌入式非挥发性存储器，华虹NEC希望能在触摸屏市场大展拳脚。
BCD工艺迎合节能环保热点
2010年最热的LED照明/背光、xx电源管理和汽车电子中都缺不了BCD（双极，CMOS和DMOS）工艺的器件，事实上，BCD基础器件已成这些热门应用的核心器件。而华虹NEC已开发和正在开发的BCD工艺技术的节点涵盖0.5μm、0.35μm、0.25μm与0.18μm，其中面向xx电源管理的“0.25/0.18umBCD”还是xxxx支持的重大科技专项项目之一。
“700VBCD是一种创新，基于该工艺制造的IC可直接工作在220V的市电下，而不用像以前那样通过多个器件来实现。这样就大大提高了效率，符合节能环保趋势。”高峰解释。他透露目前已有国内IC设计公司设计出700V的BCD器件，并正在与华虹NEC合作。而在LED照明和大尺寸LED液晶电视背光方面，华虹NEC已成功推出40V与60V的BCD工艺技术平台，客户包括国内与海外厂商。“BCD工艺技术的发展不像标准CMOS工艺那样遵循 Moore定律，而是向高压、高功率、高密度三个方向发展。”他解释。
在BCD和MOSFET的另一大应用——汽车电子市场，华虹NEC已获得了汽车电子符合性认证，正在与合作伙伴一起准备产品认证。
锗硅射频技术让无线产品更便宜
3G、WLAN/WIFI以及卫星机顶盒等都是2010年无线市场的大热，而这些终端产品中有一个占成本比例不小的器件——PA(功率放大器)。目前业界主流PA都采用砷化镓工艺，但是砷化镓工艺的代工厂数量少，代工价格也很贵，很多时候还会出现供应紧缺情况。而锗硅(SiGe)工艺比砷化镓的成本要低很多，如果能采用单管的锗硅代替后者，将为无线产业带来一次革命。华虹NEC正在作此项研究，有望在今年内取得突破。
“问题的关键是如何让锗硅工艺的性能进一步提升，而不增加太多成本。”高峰分析，“我们的策略是先在一些对性能要求不是非常苛刻的地方替代砷化镓。华虹 NEC目前正在开发0.18/0.13um锗硅工艺，将用于接收机的LNA(低噪声放大器)中，同时还会用于对讲机的PA中。”他同时透露，这个项目也是xxxx支持的项目之一，华虹NEC今后将继续开发xxx更高的锗硅射频工艺技术平台，用于更xx的产品中。
中国芯片厂商已开始在PA市场扮演重要角色，这个传统上由国际厂商主导的市场，正在RDA（锐迪科）等中国厂商的带领下向本土化供应商渗透。华虹NEC在锗硅项目上会不会再带火一家本土的IC公司呢，我们将拭目以待。
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