| 【中文篇名】 | 量子阱激光器 |
| 【作者】 | 高鼎三; |
| 【作者单位】 | 吉林大学; |
| 【文献出处】 | 半导体光电 , Semiconductor Optoelectronics, 编辑部邮箱 1981年 02期 期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 CJFD收录刊 |
| 【中文关键词】 | 受激跃迁; 半导体异质结; 相互作用; 超薄膜; 实用意义; 薄膜结构; 量子尺寸效应; 量子阱激光器; 受激发射; |
| 【摘要】 | <正> 目前,用MBE、LPE和MO-CVD外延生长半导体异质结技术进展迅速,都能制成能显示量子尺寸效应的超薄膜。用超薄膜结构制成的量子阱激光器显示许多在大尺寸情况下不具有的现象。从实用意义来说,量子阱激光器除了减薄有源区厚度使阈值电流进一步降低外,还有量子阱带填充效应使发射光能量大于E_g; 还有由于声子参加受激跃迁而使辐射能在低于和高于E_g的较大范围内受激发射。由于超薄膜准二维特有的状态密度和电子一声子相互作用使量子阱激光器的阈 |
| 【DOI】 | CNKI:SUN:BDTG.0.1981-02-001 |
| 【更新日期】 | 2006-02-14 |
| 【正文快照】 | 目前,用MBE、LpE和Mo一cVD外延!生长半导体异质结技术进展迅速,都能制成”能显示量子尺寸效应的超薄膜。用超薄膜结构制成的量子阱激光器显示许多在大尺寸情况下不具有的现象。从实用意义来说,量子阱激光器除了减薄有源区厚度使闲值电流进一步降低外,还有量子阱带填充效应使发 |
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