| 【中文篇名】 | 大规模集成电路用硅的研究与进展 |
| 【作者】 | 万群; |
| 【作者单位】 | 冶金部有色金属研究总院; |
| 【文献出处】 | 稀有金属 , Chinese Journal of Rare Metals, 编辑部邮箱 1981年 01期 期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 CJFD收录刊 |
| 【中文关键词】 | 位错环; 沉积物; 直拉单晶; 研究与进展; 区熔单晶; 热处理; 超大规模集成电路; 旋涡缺陷; 硅单晶; |
| 【摘要】 | <正> 集成电路是目前发展最快的领域,对今后科学技术的发展起着重要的作用。当前集成电路是用硅片制成的,因此硅的质量是研究的重大课题。已有不少关于这方面的评述。本文结合国内外{zx1}研究的一些进展进行讨论。 一、概况 (一) 大规模集成电路发展的趋势 电子工业的发展使电子设备愈来愈复杂,需要愈来愈多的元件组装在一起,这样就造成了体积愈 |
| 【DOI】 | CNKI:SUN:ZXJS.0.1981-01-011 |
| 【正文快照】 | 集成电路是目前发展最快的领域,对今后科学技术的发展起着重要的作用。当前集成电路是用硅片制成的,因此硅的质量是研究的重大课题。已有不少关于这方面的评述〔‘一3〕。本文结合国内.外{zx1}研究的一些进展进行讨论。概况 (一)大规模集成电路发展的趋势’ 电子工业的发展使电 |
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