整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则
2008-03-21 09:17:46 阅读186 评论3 字号：大中小
电子爱好者经常要用二极管。二极管具有单向导电性，主要用于整流、稳压和混频等电路中。本文介绍整流二极管和稳压二极管的及原则。
(一)整流二极管的主要
1.IF— {zd0}平均整流。
指二极管长期工作时允许通过的{zd0}正向平均。该由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。
2.VR— {zd0}反向工作。
指二极管两端允许施加的{zd0}反向。若大于此值，则反向(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4007的VR为1OOOV.
3.IR— 反向。
指二极管未击穿时反向值。温度对IR的影响很大。例如1N4000系列二极管在100°C条件IR应小于500uA;在25°C时IR应小于5uA。
4.VR— 击穿。
指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的值。反向为软特性时，则指给定反向漏条件下的值。
5.tre— 反向恢复时间。
指在规定的负载、正向及{zd0}反向瞬态下的反向恢复时间。
6.fm— {zg}工作频率。
主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。
7.CO— 零偏压电容。
指二极管两端为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其的离散性也很大。手册中给出的往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于1OuA，而在100°C时IR则变为小于500uA。
(二)稳压二极管的主要
1.Vz— 稳定。
指稳压管通过额定时两端产生的稳定值。该值随工作和温度的不同而略有改变。由于制造工艺的差别，同一型号稳压管的稳压值也不xx一致。例如，2CW51型稳压管的Vzmin为3.0V, Vzmax则为3.6V。
2.Iz— 稳定。
指稳压管产生稳定时通过该管的值。低于此值时，稳压管虽并非不能稳压，但稳压效果会变差;高于此值时，只要不超过额定功率损耗，也是允许的，而且稳压性能会好一些，但要多消耗电能。
3.Rz— 动态电阻。
指稳压管两端变化与变化的比值。该比值随工作的不同而改变，一般是工作愈大，动态电阻则愈小。例如，2CW7C稳压管的工作为5mA时，Rz为18Ω;工作为1OmA时，Rz为8Ω;为20mA时，Rz为2Ω ; > 20mA则基本维持此数值。
4.Pz— 额定功耗。
由芯片允许温升决定，其数值为稳定Vz和允许{zd0}Izm的乘积。例如2CW51稳压管的Vz为3V，Izm为20mA，则该管的Pz为60mWo
5.Ctv— 温度系数。
是说明稳定值受温度影响的。例如2CW58稳压管的Ctv是+0.07%/°C，即温度每升高1°C，其稳压值将升高0.07%。
6.IR— 反向漏。
指稳压二极管在规定的反向下产生的漏。例如2CW58稳压管的VR=1V时，IR=O.1uA;在VR=6V时，IR=10uA。
(三)二极管的基本原则
1.要求导通低时选锗管;要求反向小时选硅管。
2.要求导通大时选面结合型;要求工作频率高时选点接触型。
3.要求反向击穿高时选硅管。
4.要求耐高温时选硅管。
(一)整流二极管的主要
1.IF— {zd0}平均整流。
指二极管长期工作时允许通过的{zd0}正向平均。该由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。
2.VR— {zd0}反向工作。
指二极管两端允许施加的{zd0}反向。若大于此值，则反向(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4007的VR为1OOOV.
3.IR— 反向。
指二极管未击穿时反向值。温度对IR的影响很大。例如1N4000系列二极管在100°C条件IR应小于500uA;在25°C时IR应小于5uA。
4.VR— 击穿。
指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的值。反向为软特性时，则指给定反向漏条件下的值。
5.tre— 反向恢复时间。
指在规定的负载、正向及{zd0}反向瞬态下的反向恢复时间。
6.fm— {zg}工作频率。
主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。
7.CO— 零偏压电容。
指二极管两端为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其的离散性也很大。手册中给出的往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于1OuA，而在100°C时IR则变为小于500uA。
(二)稳压二极管的主要
1.Vz— 稳定。
指稳压管通过额定时两端产生的稳定值。该值随工作和温度的不同而略有改变。由于制造工艺的差别，同一型号稳压管的稳压值也不xx一致。例如，2CW51型稳压管的Vzmin为3.0V, Vzmax则为3.6V。
2.Iz— 稳定。
指稳压管产生稳定时通过该管的值。低于此值时，稳压管虽并非不能稳压，但稳压效果会变差;高于此值时，只要不超过额定功率损耗，也是允许的，而且稳压性能会好一些，但要多消耗电能。
3.Rz— 动态电阻。
指稳压管两端变化与变化的比值。该比值随工作的不同而改变，一般是工作愈大，动态电阻则愈小。例如，2CW7C稳压管的工作为5mA时，Rz为18Ω;工作为1OmA时，Rz为8Ω;为20mA时，Rz为2Ω ; > 20mA则基本维持此数值。
4.Pz— 额定功耗。
由芯片允许温升决定，其数值为稳定Vz和允许{zd0}Izm的乘积。例如2CW51稳压管的Vz为3V，Izm为20mA，则该管的Pz为60mWo
5.Ctv— 温度系数。
是说明稳定值受温度影响的。例如2CW58稳压管的Ctv是+0.07%/°C，即温度每升高1°C，其稳压值将升高0.07%。
6.IR— 反向漏。
指稳压二极管在规定的反向下产生的漏。例如2CW58稳压管的VR=1V时，IR=O.1uA;在VR=6V时，IR=10uA。
(三)二极管的基本原则
1.要求导通低时选锗管;要求反向小时选硅管。
2.要求导通大时选面结合型;要求工作频率高时选点接触型。
3.要求反向击穿高时选硅管。
4.要求耐高温时选硅管。
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