光敏三极管与普通半导体三极管一样，是采用半导体制作工艺制成的具有NPN 或 结构的半导体管。它在结构上与半导体三极管相似，它的引出电极通常只有两个，也有三个的。

    光敏三极管的结构如图所示。为适应光电转换的要求，它的基区面积做得较大，发射区面积做得较小，入射光主要被基区吸收。和光敏二极管一样，管子的芯片被装在带有玻璃透镜金属管壳内，当光照射时，光线通过透镜集中照射在芯片上。

 

    将接在图所示的中，的集电极接正电位，其发射极接负电位。当无光照射时，流过光敏三极管的，就是正常情况下光敏三极管集电极与发射极之间的穿透电流I_ceo 它也是光敏三极管的暗电流，其大小为
I_ceo =(1 + h_FE) I
式中:
bo---集电极与基极间的饱和;
hFE ---共发射极直流放大系数。

    当有光照射在基区时，激发产生的电子--空穴对增加了少数载流子的浓度，使集电结反向饱和大大增加，这就是集电结的光生电流。该电流注入发射结进行放大，成为集电极与发射极间电流，它就是光敏三极管的光电流。可以看出，光敏三极管利用普通半导体三极管的放大作用，将光敏的光电流放大了( I + hFE) 倍。所以，光敏三极管比具有更高的灵敏度。