多年来，半导体厂商一直在致力研究PCM内存，不过，它一直处于试验阶段。 PCM内存当中包含有类似玻璃的材料，当其中的原子重新排列，它的状态就会发生改变，晶体的变化对应计算上的0，1状态，从而可以用于数据存储。
一直以来，包括英特尔和英飞凌在内的很多公司都在从PCM的研发，他们试图将这种存储器的体积减小，增存储加速度与容量。支持PCM的人士认为，PCM最终可能取代NAND和NOR闪存。
三星半导体公司的技术营销经理Harry Yoon认为，PCM最早将被应用于手机等移动设备当中，它可以节省30%的耗电。
三星已经开始制造512Mb的PCM内存，三星将根据需求提高其产量。
分析师们认为，尽管PCM内存的研究取得了不小进步，但这种内存仍然处于研究阶段，要想取代现有的内存形式尚需多年时间。Objective Analysis研究机构的分析师Jim Handy表示，PCM内存取代现有的移动设备存储需要多年时间。
Handy还表示，PCM内存的制造在一定的工艺下会变得可行，目前，内存制程为34纳米水平，PCM内存制造需要将工艺制程降至10到12纳米水平。
分析师们表示，PCM内存可能取代现有移动设备当中的NOR闪存。Forward Insights公司分析师Gregory Wong说，和NOR闪存相比，PCM内存的数据访问速度更快，耐受性更好。与现有的内存相比，PCM可以极大节省耗电。
PCM要想挤掉NAND，价格是一大障碍。
东芝最近表示，自己可以用10纳米制程生产NAND闪存。在芯片体积上，NAND与PCM有得一拼。不过，NAND也有发展极限，到那时，PCM内存可能大行其道。
短期来看，PCM还需要克服研发以及成本的障碍。
不过，分析师认为，三星宣布制造PCM内存是一个里程碑式的事件。Handy说：“PCM内存由此步入大规模生产阶段。”
英特尔和STMicroelectronics成立了Numonyx合资公司，该公司也开始PCM设备的商业发售。三星和Numonyx今年初宣布，他们将联合制定PCM规范。
除了PCM，业界还在开发其它内存技术，包括MRAM（磁阻随机存取内存）以及RRAM（非挥发性阻抗存储器）。
