超基础的知识之晶体
石英晶体振荡器(简称晶振)
一、术语解释
1、频率准确度:在规定条件下,晶振输出频率相对于标称频率的允许偏离值。常用其相对值表示。
2、频率稳定度:   
2.1[时域表征]   
  ⑴ 在规定条件下,晶振内部元件由于老化而引起的输出频率随时间的漂移。通常用某一时间间隔内的老化频差的相对值来量度(如日、月或年老化率等)。   
  ⑵ 日稳定度(或称日波动):指晶振输出频率在24小时内的变化情况。通常用其{zd0}变化的相对值来表示。
2.2[频域表征]   
  ⑴ 单边相位噪声功率谱密度,晶振输出信号的频谱中,用偏离载频f Hz处每Hz带宽内单边相位噪声功率与信号功率之比的分贝(dB)量,可写作 £(f)单位为dB/Hz。   
  ⑵ 频谱纯度:是量度晶振内部噪声及杂散谱的尺度。通常用单边噪声功率谱密度来表示。
3、输出波形:有正弦波和方波两种。
4、输出幅度:在接入额定负载的规定条件下,晶振输出的均方根值电压。
5、频率温度特性:当环境温度在规定范围内按预定方式变化时,晶振的输出频率产生的相对变化特性
6、压控线性度:指压控晶振输出频率与压控电压曲线偏离线性的程度。
二、应用指南
根据晶振的不同使用要求及特点,通常分为以下几类:普通晶振、温补晶振、压控晶振、温控晶振等。安装晶振时,应根据其引脚功能标识与应用电路应连接,避免电源引线与输出引脚相接输出。
在测试和使用时所供直流电源应没有足以影响其准确度的纹波含量,交流电压应无瞬变过程。测试仪器应有足够的精度,连线合理布置,将测试及外围电路对晶振指标的影响降至{zd1}。 AT切型晶体的频率温度特性曲线如下:
1、普通晶振(PXO):是一种没有采取温度补偿措施的晶体振荡器,在整个温度范围内,晶振的频率稳定度取决于其内部所用晶体的性能,频率稳定度在10-5量级,一般用于普通场所作为本振源或中间信号,是晶振中最廉价的产品。
2、温补晶振(TCXO):是在晶振内部采取了对晶体频率温度特性进行补偿,以达到在宽温温度范围内满足稳定度要求的晶体振荡器。一般模拟式温补晶振采用热敏补偿网络。补偿后频率稳定度在10-7~10-6量级,由于其良好的开机特性、优越的性能价格比及功耗低、体积小、环境适应性较强等多方面优点,因而获行了广泛应用。
3、恒温晶振(OCXO):采用精密控温,使电路元件及晶体工作在晶体的零温度系数点的温度上。中精度产品频率稳定度为10-7~10-8,高精度产品频率稳定度在10-9量级以上。主要用作频率源或标准信号。

4、压控晶振(VCXO):是一种可通过调整外加电压使晶振输出频率随之改变的晶体振荡器,主要用于锁相环路或频率微调。压控晶振的频率控制范围及线性度主要取决于电路所用变容二极管及晶体参数两者的组合。

 

石英晶体谐振器
一、术语解释
1、 标称频率:晶体技术条件中规定的频率,通常标识在产品外壳上。
2、 工作频率:晶体与工作电路共同产生的频率。
3、 调整频差:在规定条件下,基准温度(25±2℃)时工作频率相对于标称频率所允许的偏差。
4、 温度频差:在规定条件下,在工作温度范围内相对于基准温度(25±2℃)时工作频率的允许偏差。
5、 老化率:在规定条件下,晶体工作频率随时间而允许的相对变化。以年为时间单位衡量时称为年老化率。
6、 静电容:等效电路中与串联臂并接的电容,也叫并电容,通常用C0表示。
7、 负载电容:与晶体一起决定负载谐振频率fL的有效外界电容,通常用CL表示。负载电容系列是:8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。只要可能就应选推荐值:10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
8、 负载谐振频率(fL):在规定条件下,晶体与一负载电容相串联或相并联,其组合阻抗呈现为
电阻性时的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时,负载谐振频率是两个频率中较低的一个,在并联负载电容时,则是两个频率中较高的一个。
9、 动态电阻:串联谐振频率下的等效电阻。用R1表示。
10、 负载谐振电阻:在负载谐振频率时呈现的等效电阻。用RL表示。 RL=R1(1+C0/CL)2
11、 激励电平:晶体工作时所消耗功率的表征值。激励电平可选值有:2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等
12、 基频:在振动模式{zd1}阶次的振动频率。
13、 泛音:晶体振动的机械谐波。泛音频率与基频频率之比接近整数倍但不是整数倍,这是它与电气谐波的主要区别。泛音振动有3次泛音,5次泛音,7次泛音,9次泛音等。
二、应用指南
石英晶体谐振器根据其外型结构不同可分为HC-49U、HC-49U/S、HC-49U/S·SMD、UM-1、UM-5及柱状晶体等。
  HC-49U适用于具有宽阔空间的电子产品如通信设备、电视机、电话机、电子玩具中。
  HC-49U/S适用于空间高度受到限制的各类薄型、小型电子设备及产品中。
  HC-49U/S·SMD为准表面贴装型产品,适用于各类超薄型、小型电脑及电子设备中。
  柱状石英晶体谐振器适用于空间狭小的稳频计时电子产品如计时器、电子钟、计算器等。
  UM系列产品主要应用于移动通讯产品中,如BP机、移动手机等。
  石英晶体谐振器主要用于频率控制和频率选择电路。本指南有助于确保不出现性能不满意、成本不合适及可用性不良等现象。
1、 振动模式与频率关系:
                 基频   1~35MHz
                 3次泛音 10~75MHz
                 5次泛音 50~150MHz
                 7次泛音 100~200MHz
                 9次泛音 150~250MHz
2、 晶体电阻:对于同一频率,当工作在高次泛音振动时其电阻值将比工作在低次振动时大。
"信号源+电平表"功能由网络分析仪完成
  Ri、R0:仪器内阻:一般为50Ω
  R1--滤波器输入端外接阻抗,阻抗值为匹配阻抗减去50Ω。
  R2--滤波器输出端外接阻抗,阻抗值为匹配阻抗减去50Ω。
  在滤波器条件的匹配阻抗中有时有并接电容要求,应按上图连接。
3、 工作温度范围与温度频差:在提出温度频差时,应考虑设备工作引起的温升容限。当对温度频差要求很高,同时空间和功率都允许的情况下,应考虑恒温工作,恒温晶体振荡器就是为此而设计的。
4、 负载电容与频率牵引:在许多应用中,都有用一负载电抗元件来牵引晶体频率的要求,这在锁相环回路及调频应用中非常必要,大多数情况下,这个负载电抗呈容性,当该电容值为CL时,则相对负载谐振频率偏移量为:DL=C1/[2(C0+CL)]。而以CL作为可调元件由DL1调至DL2时,相对频率牵引为:
DL1,L2= C1(CL1-CL2)/[2(C0+CL1)(C0+CL2)]。
5、 负载电容的选择:晶体工作在基频时,其负载电容的标准值为20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶体经常工作在串联谐振,在使用负载电容的地方,其负载电容值应从下列标准值中选择:8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。
6、 激励电平的影响:一般来讲,AT切晶体激励电平的增大,其频率变化是正的。激励电平过高会引起非线性效应,导致可能出现寄生振荡;严重热频漂;过应力频漂及电阻突变。当激励电平过低时则会造成起振阻力不易克服、工作不良及指标的不稳定。
7、 滤波电路中的应用:应用于滤波电路中时,除通常的规定外,更应注意其等效电路元件的数值和误差以及寄生响应的位置和幅度,由于滤波晶体设计的特殊性,所以用户选购时应特别说明

 

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