氯在600℃分解SｉC表面层，在900－1000℃时则进行下列反应：
SiC+2Cl2→SiCl 4+C
在1100－1200℃，形成四氯化硅和xxxx：
SiC+4Cl2→SiCl 4+CCl 4
SｉC和水蒸汽在1300－1400℃作用，但要到1775－1800℃才强烈的作用：
SiC+2H2O→SiO2+CH 4
因此必须隔绝水蒸汽的侵入。
SiC在氧中，在1000℃以下不被氧化，在1350℃时显著地氧化。在1350－1500℃之间形成SiO2，而SiO2在1700℃左右熔化。所生成的SiO2在熔化时覆盖在SiC的上面，阻碍SiC再继续氧化。
在1750℃时，SiC按下列反应强烈地进行氧化：
SiC+3/2O2→SiO2+CO
SiC+2O2→SiO2+CO2
碳化硅在1100℃，1小时可氧化0.47%，而在1250℃时为1.82%。硫磺蒸气仅在高于1100℃和碳化硅作用。
2000℃以上，在二氧化硅作用下，碳化硅分解并析出硅：
SiC+SiO2→2Si+CO2
碳化硅对化学试剂是稳定的。它不溶于一般熟知的酸溶液和它们的混合酸中。沸腾的盐酸、氢氟酸、硫酸不会分解碳化硅。各种酸蒸气对硅碳棒不起化学作用。