混合集成电路(HIC)技术发展现状及前景研究

    随着半导体集成电路芯片规模的不断增大,为大规模与厚膜混合集成电路提供了高密度与多功能的外贴元器件。利用厚膜多层布线技术和先进的组装技术进行混合集成,所制成的多功能大规模混合集成电路即为现在和将来的发展方向。一块大规模厚膜混合集成电路可以是一个子系统,甚至是一个全系统。随着技术的发展,厚膜混合集成电路使用范围日益扩大,主要应用于航天电子设备。卫星通信设备。电子计算机。通讯系统。汽车工业。音响设备。微波设备以及家用电器等。由此可见,厚膜混合集成电路业已渗透到许多工业部门。在欧洲,厚膜混合集成电路在计算机中的应用占主要地位,然后才是远程通信。通讯。军工与航空等部门。而在日本,消费类电子产品大量采用厚膜混合集成电路。美国则主要用于宇航。通讯和计算机,其中以通讯所占的比例{zg}。目前,厚膜混合集成电路也受到巨大竞争威胁。印刷线路板的不断改进追逐着厚膜混合集成电路的发展。在变化迅速和竞争激烈的情况下,必须进一步探索厚膜混合集成电路存在的问题与对应采取的措施。

【报告名称】中国混合集成电路(HIC)技术发展现状及前景研究报告(2010)
【报告价格】纸介版 8000元,电子版 8500元,电子版+印刷版 8900 元
【发布时间】2010年1月
【报告规模】83页
【交货时间】2个工作日
【交货方式】电子版邮箱、QQ;纸介版特快专递
【报告提示】随着半导体集成电路芯片规模的不断增大,为大规模与厚膜混合集成电路提供了高密度与多功能的外贴元器件。利用厚膜多层布线技术和先进的组装技术进行混合集成,所制成的多功能大规模混合集成电路即为现在和将来的发展方向。一块大规模厚膜混合集成电路可以是一个子系统,甚至是一个全系统。随着技术的发展,厚膜混合集成电路使用范围日益扩大,主要应用于航天电子设备。卫星通信设备。电子计算机。通讯系统。汽车工业。音响设备。微波设备以及家用电器等。由此可见,厚膜混合集成电路业已渗透到许多工业部门。在欧洲,厚膜混合集成电路在计算机中的应用占主要地位,然后才是远程通信。通讯。军工与航空等部门。而在日本,消费类电子产品大量采用厚膜混合集成电路。美国则主要用于宇航。通讯和计算机,其中以通讯所占的比例{zg}。目前,厚膜混合集成电路也受到巨大竞争威胁。印刷线路板的不断改进追逐着厚膜混合集成电路的发展。在变化迅速和竞争激烈的情况下,必须进一步探索厚膜混合集成电路存在的问题与对应采取的措施。
【报告目录】
1前言

2中国集成电路产业发展分析
2.1全球集成电路产业发展分析
    2.1.1全球半导体产业销售分析
    2.1.2全球集成电路产业产能分析
    2.1.3全球集成电路产业产量分析
    2.1.4全球集成电路产业销售分析
2.2中国集成电路产业发展现状及趋势分析
    2.2.1中国半导体市场分析
    2.2.2中国集成电路产量分析
    2.2.3中国集成电路产业销售分析
    2.2.4中国集成电路应用领域及占比分析
    2.2.5中国集成电路进出口分析

3.国外HIC技术发展分析
3.1国外混合集成电路生产与应用分析
    3.1.1欧洲混合集成电路采购的依据
      3.1.1.1内部元器件供应商的选择
      3.1.1.2内部元器件采用的标准体系
      3.1.1.3批次要求
      3.1.1.4无源元件评价要求
        3.1.1.4.1每个批次的无源元件出厂前由生产厂进行检验
        3.1.1.4.2键合拉力试验
        3.1.1.4.3电参数测试分组
        3.1.1.5有源器件评价要求
          3.1.1.5.1每个批次的芯片出厂前由生产厂检验合格
          3.1.1.5.2键合拉力试验
          3.1.1.5.3电参数测试分组
    3.1.2美国:军标与国标基本一致
      3.1.2.1有源器件评价要求
      3.1.2.2有源器件评价要求
    3.1.3欧洲与CJ内部元器件评价要求的比较
    3.1.4国外宇航用混合集成电路质等级要求
      3.1.4.1欧洲元器件用户方对混合电路的要求
      3.1.4.2NASA对混合电路的要求
      3.1.4.3欧洲与NASA宇航用混合集成电路要求的对比
3.2 HIC的优势
3.3国外HIC技术:已进入了一个新阶段
    3.3.1国外二维MCM高级混合集成电路研究:日趋成熟且面应用
    3.3.2 HIC成就SiP:SiP一定是HIC高级阶段
3.4国外HIC的发展特点分析
    3.4.1HIC基片向多层、低介、高导热方向发展
    3.4.2厚膜电子浆料的发展动向
    3.4.3 HIC的组装技术发展方向
    3.4.4 HIC向三维结构发展
    3.4.5 HIC技术向SiP (系统级封装)技术发展

4国内HIC技术进入以自主发展为主的时期
4.1国内HIC技术发展现状
    4.1.1厚膜HIC批产实用化基板的布线
    4.1.2三维高密度组装(3D—MCM)技术研究
    4.1.3通用HIC技术产品的广泛应用
    4.1.4国内HIC在技术研究、产品开发和应用与国外比较
      4.1.4.1混合集成电路的支撑材料
      4.1.4.2工艺水平与国外比较:差距大且自动化程度低
      4.1.4.3多芯片组件方面
      4.1.4.4 SiP技术工作方面
      4.1.4.5通用HIC产品在系列化、标准化方面
4.2 HIC技术发展的未来趋势
    4.2.1混合集成电路与ASIC共同发展
    4.2.2 HIC技术将走向更高级阶段——SiP系统集成技术
    4.2.3 HIC功率产品向高功率密度发展
    4.2.4 HIC与光电子技术日益相结合
    4.2.5向三维埋置一体化结构发展
4.3国内HIC技术的发展目标和对策
    4.3.1国内HIC技术的发展目标
      4.3.1.1总体技术水平达到或接近国外同类产品水平
      4.3.1.2质量水平达到国军标要求
      4.3.1.3xxHIC电路设计、制造水平与同期国际先进水平相当
      4.3.1.4xx整机用HIC国产化率目标
    4.3.2国内HIC技术的发展对策
      4.3.2.1加强支撑材料等相关技术研究
      4.3.2.2加强ASIC等相关xx芯片开发
      4.3.2.3提供更加标准化、系列化的产品
      4.3.2.4加快MCM产品研发和市场应用工作
      4.3.2.5加强与整机系统的联合
      4.3.2.6将HIC技术和产品推向广阔的民用市场

5二十四所混合集成电路的技术进步轨迹
5.1二次集成电路的前期筹备和试验工作启动
5.2产品面进一步扩大
5.3混合集成电路工艺线的规范化和标准化建设
    5.3.1继续发展原有的混合集成电路厚膜工艺
    5.3.2薄膜工艺在放大器类混合电路领域逐步得到应用
    5.3.3表面贴装技术(SMT)得到进一步发展
5.4在规模生产的工艺和管理水平方面取得显著进步
5.5混合集成电路产品可靠性等级已扩展至H 级
    5.5.1中小批量生产能力的形成
    5.5.2工艺的基本参数
5.6混合IC 技术的发展前景广阔

6结论

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