2010-07-22 | 翻译编辑 | >
IMEC[1]使用高质底的大面积(70cm2)外延太阳能电池已获得16.3%的转换效率。此前，低质衬底大面积电池曾获得14.7%的转换效率。IMEC已成功地在高质高掺杂度的衬底和低成本的高级冶金级多晶硅衬底上，获得了厚度仅为20 微米的高质量外延硅堆。 "在高质衬底上所获得的16.3%的效率和低成本衬底的14.7%的效率均表明工业级的效率是可以通过现有技术来实现的。"IMEC太阳能项目总监Jef Poortmans表示，"通过使用铜基接触方案，我们可以进一步提高转换效率，使低成本晶片上生长外延薄膜硅太阳能电池成为一项值得关注的工业技术。" P+型背表面电场(BSF)、p型基底和n型前端发射极由化学气相沉积形成。电池的捕光方式是在外延/衬底部位，将前表面等离子结构与内部多孔硅布拉格反射镜相结合，已达到捕光的目的。太阳能电池在该高质衬底上使用了铜基接触方案。 低质衬底太阳能电池的金属化工艺使用了丝网印刷技术，该步骤是形成扩散型前表电场及镀氮化硅减反射膜之后的{zh1}一步制造工艺。这一外延生长晶片的等效衬底可xx用在标准的工业化太阳能电池制作工艺中。 注：IMEC的使用了高质衬底的大面积(70cm2)外延太阳能电池可获得16.3%的效率
注：IMEC的使用了由丝网印刷金属栅线构成的低质衬底的外延薄膜硅太阳能电池可获得14.7%的效率
[1]比利时校际微电子研究中心(Interuniversity Microelectronics Centre，简称IMEC)
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