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电子胶水学习指南 » 第十章电子封装的分析、评价及设计

a.布线电气特性分析基础：目前人们正在开发各种类型的超高速元件，其中包括约瑟夫森器件，采用GaAs的HEMT(high electron mobility transistor：高电子迁移率三极管)和MESFET(metal semiconductor field effect transistor：金属-半导体场效应三极管)、采用Si的ECL（emitter couple logic：发射极耦合逻辑）器件等，与此相关，需要研究高频信号的传输特性，以GaAs超高速器件处理的信号为例，人们正对高速脉冲的传输特性、布线间的交叉噪声特性、减少交叉噪声的措施等进行广泛的研究，此外CMOS(complementary metal oxide semiconductor：互补金属氧化物半导体)器件的高速化也取得显著进展；

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