0  引言

随着集成电路规模不断扩大，尤其是芯片系统集成技术的提出，对模拟集成电路基本模块(如A／D、D／A转换器、滤波器以及锁相环等电路)提出了更高的精度和速度要求，这也就意味着系统对其中的基准源模块提出了更高的要求。

用于高速高精度ADC的片内电压基准源不仅要满足ADC精度和采样速率的要求，并应具有较低的温度系数和较高的抑制比，此外，随着低功耗和便携的要求，ADC也在朝着低压方向发展，相应的基准源也要满足低电源电压的要求。

本文分析了基准源对流水线ADC精度的影响，并建立了相应的模型，确定了高速高精度ADC对电压基准源的性能要求。给出了基于1.8 V的低电源电压，并采用结构简单的VBE非线性二阶补偿带隙基准源的核心电路，该补偿方式可以实现较低的温度系数，能满足高速高精度ADC的要求。箝位运放采用一种低噪声两级运算放大器，该运放可提供小于0.02 mV的失调电压，因而保证了基准源的补偿精度。为了提高基准源的电源抑制比，本文除采用常用的共源共栅电流镜技术以外，还设计了一种简单有效的电源抑制比提高电路，从而使得基准源的电源抑制比有了较大提高。

1  电压基准源影响的建模分析

在Pipelined ADC系统中，基准源的主要作用是为子ADC提供比较电平，同时为MDAC提供残差电压。差分基准电压源发生偏移会导致子ADC比较电平和MDAC残差电压发生变化。而通过引入冗余位矫正技术可大大减小差分基准电压源所引起的比较电平变化对系统指标造成的影响，但是，MDAC残差电压变化的影响却无法xx，系统的转移特性曲线仍将会发生变化，从而造成系统指标下降。其中基准电压源的偏移主要来源于温度和电源电压的影响。

下面分析基准电压源温度漂移特性对DNL的影响。一般情况下，实际相邻输出与理想相邻输出之间的偏差可以表示为：

对于首级精度为3.5位的12位ADC，在-40℃～85℃的温度范围内，对温度要求最严格的比较器一般要求基准电压源的{zd0}温漂不超过(7／8)Vdiff。

根据下列两式：

可以得到DNL对基准电压源温度系数的要求，即温度系数TC≤6.84 ppm／℃。式中，VT0为室温25℃时的基准电压值。

2电压基准源电路结构设计

2.1  二阶曲率补偿技术

由前文分析可知，12位ADC系统要求温度系数应小于6.84ppm／K才能达到12位精度。传统带隙基准源很难达到这个要求，因此，本文选用一种如图1所示的二阶曲率补偿的电压基准源结构。

如图1所示，根据VBE的温度关系式：

从(5)式可以看出，VBE与温度并不是简单的线性关系，{zh1}一项就是非线性项。其中η是与工艺相关的量。如果发射极电流是PTAT电流，那么α=1；如果发射极电流与温度无关，则α=0。图1中流入Q1、Q2的电流是PTAT电流，故有：

因流入Q3的电流也与温度无关，故有：