TPV电池是利用半导体的pn结来发电的一种太阳能电池。不过，光吸收层的半导体材料主要使用能带隙仅为0.67eV左右的Ge及GaSb等，因此“能量源”以红外线为主体。由于对可见光几乎没有反应，可安装在一些热源附近，用于将其辐射热转换为电力等用途。
但是，此前的大部分TPV电池通过使Ge在GaAs类底板上外延生长制造而成。因此制造成本非常高，一直未能走上实用化道路。
IMEC此次并未透露新TPV电池的具体制造工艺。不过，该机构称，通过采用Ge底板省去了外延生长，而且在封装中采用了非晶硅，从而大幅降低了制造工艺的成本。另外，还大幅提高了TPV电池的光电转换量子效率。（记者：野泽 哲生）
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