项目
测试片级单晶硅片
生长方式
CZ
导电类型
N
掺杂剂
磷P
晶向
<111>
电阻率（Ω.cm）
5-80
电阻率径向不均匀性
≤25%
直径（mm）
76.2+0.3
76.2-0.3
少子寿命（цs）
≥100
氧含量（atoms/cm3）
≤1×1018
碳含量（atoms/cm3）
≤5×1016
位错密度（сm–2）
≤100
硅片形态
扩散片
硅片厚度（цm）
200-340
厚度公差（цm）
±5
总厚度偏差（цm）
≤10
弯曲度（цm）
≤30
表面质量
无孔洞、无裂纹、色泽均匀 无氧化花纹及用户其他要求
