AO3415-ASEMI中低压P沟道MOS管AO3415
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AO3415-ASEMI中低压P沟道MOS管AO3415
型号：AO3415
品牌：ASEMI
封装：SOT-23
漏源电流：-4.0A
漏源击穿电压：-20V
批号：最新
RDS（ON）Max：0.06Ω
引脚数量：3
沟道类型：P沟道MOS管
芯片尺寸：MIL
漏电流：
恢复时间：5ns
芯片材质：
封装尺寸：如图
特性：中低压MOS管、P沟道MOS管
工作结温：-55℃~150℃
AO3415场效应管
AO3415的电性参数：漏源电流-4.0A；漏源击穿电压-20V
特征：
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。
BVDSS=-20V，Id=-4.0A
RDS（开）:0.06Ω （值）@VG=-2.5V
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