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东芝(toshiba)以2009年开发的bics—3d nand flash技术,从2014年季起开始小量试产,目标在2015年前顺利衔接现有1y、1z 技术的flash产品。为了后续3d nand flash的量产铺路,东芝与新帝(sandisk)合资的日本三重县四日市晶圆厂,期工程扩建计划预计2014年q3完工,q3顺利进入规模化生产。而sk海力士与美光(micron)、英特尔(intel)阵营,也明确宣告各自3d nand flash的蓝图将接棒16 ,计划于2014年q2送样测试,快于年底量产。  由于3d nand flash存储器的制造步骤、工序以及生产良率的提升,要比以往2d平面nand flash需要更长时间,且在应用端与主芯片及系统整合的验证流程上也相当耗时,故初期3d nand flash芯片将以少量生产为主,对整个移动设备与储存市场上的替代效应,在明年底以前应该还看不到。  MIC2211-AAYML UPD75P116CW UCC27201ADRMR SKY77704-14 SR528 TNETD5800GND200 TPS51120RHBR TPS65820RSHR UPD64015AGM-UEU UPD77P20D TC220C800TB-502(G) TY6701111184KC K4H511638F-LCB3 HD64F3062F20 IDT71024S15Y M54523FP TC7WZ32FK TPS79318DBVRQ1 SI3215-C-FM LT1761ES5-1.8 MC100LVEL11DTR2 PESD3V3L5UF NC7SZ02M5X NC7SZ05M5X BQ24070RHLR
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